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国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号 CN 118888448 A，申请

国家知识产权局信息显示，上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利，公开号 CN 118881

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为半导体材料生长速率的测试方法的专利，授权公告号为CN11

天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为MEMS器件及其制造方法的专利，授权公告号为CN109650326B，授权公告日为

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为一种光刻机对准方法的专利，公开号CN 118838133 A，申请日期为

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为掩膜版图形及其优化方法的专利，公开号 CN 118838110 A，申请日期

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及制备方法的专利，公开号CN 118829192 A，申请日期为2023

国家知识产权局信息显示，深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利，授权公告号CN 221885077 U，申请日期为2024

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

天眼查显示，华海清科股份有限公司驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为

天眼查显示，华润微电子(重庆)有限公司一种LIGBT器件及其制备方法专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN11869313

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。元旭半导体将携多款Micro-LED芯片、COB显示产品亮相此次展会，诚邀请产业同仁共聚论坛，莅临A04号展位参观交流、洽谈合作。