报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。
据日本当地行业媒体报道，国际存储芯片巨头美光科技（Micron）计划在日本广岛市新建一座DRAM芯片厂，同样有望拿到日本政府的大额补贴。
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