6月25日,雷电微力在深交所互动易平台回复投资者提问时表示,公司研制低成本低剖面氮化镓组件,部分产品已量产。第三代半导体氮
DX65TA030是一款650V,30mΩ增强型硅基氮化镓(GaN)晶体管,采用TOLL封装与宽禁带技术,实现高功率密度。具备开尔文连接,
6月23日,英诺赛科(02577.HK)公告,公司已于近日与广东威灵电机制造有限公司达成战略合作,成功在家电电机驱动领域实现突破。双
在近期日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,ISPSD)上,南京大学江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室张荣和陆海教授研究团队入选了两篇氮化镓(GaN)功率器件辐照效应研究论文,向国际同行展示了宇航级GaN功率器件研究最新成果。
近日,中科无线半导体有限公司宣布,其基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用,是专业为具身机
中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队与土耳其博卢阿巴特伊兹特贝萨尔大学Yilmaz Ercan教授团队展开联合攻关,成功开发出基于常关型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高性能紫外探测器,显著提升了响应度、紫外-可见截止比、响应速度,为智能传感、环境监测等领域提供了创新解决方案。该系列研究工作发表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev
5月23日,2025功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD)在南京熹禾涵田酒店盛大启幕。新微半导体总经理王庆宇应邀出席,发表了题为“氮化镓赋能未来:突破功率极限,引领能效革命”的主旨演讲,深度解读氮化镓在能效领域的卓越优势
近日,澳大利亚激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓(GaN)激光器:单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出,且同时维持单空间模
5月16日,华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式。华润微电子副总裁庄恒前强
近期,宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)领域取得重要突破,成
4月16日,美国Polar Semiconductor公司宣布与日本瑞萨电子株式会社(简称瑞萨电子)达成战略协议,获得其硅基氮化镓(GaN-on-Si
氮化镓(GaN)晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料,具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能,在蓝绿激
纳微半导体今日宣布其高功率旗舰GaNSafe氮化镓功率芯片已通过AEC-Q100和AEC-Q101两项车规认证,这标志着氮化镓技术在电动汽车市
YS/T 1654-2023《氮化镓化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》标准解读国标(北京)检验认证有限公司刘红一、
英诺赛科(02577.HK)公告,公司发布了自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品,该款产品凭藉宽禁带特性,在高压高频场景优势显著,具备零
国家知识产权局信息显示,江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利,授权
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(简称ST)与8英寸高性能低成本硅基氮化镓(GaN-on-Si)制造全球领军
国家知识产权局信息显示,镓特半导体科技(铜陵)有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利,授权公告号CN
氮化镓(GaN)正在重塑半导体行业游戏规则。近日,九峰山实验室已从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。九峰山实验室8英
近日,九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓(N-polar GaNOI)高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前
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