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20亿！科友半导体SiC项目签约杭州

河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法“，

2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项SiC MOS

业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。

东海炭素公司计划投资54亿日元（约合2.6亿人民币），在神奈川县茅崎市建设一条专用的多晶SiC晶圆材料生产线，预计该生产线将于2024年12月完工并投入运营。

“第三代半导体技术与产业链创新发展论坛”在上海新国际博览中心举行，9日，论坛精彩分享继续，来自苏州实验室、才道精密仪器、上海邦芯半导体、清软微视、上海新微半导体、南京芯干线、茂硕电源、北京晶亦精微、飞锃半导体等嘉宾代表带来精彩主题报告。

7月1日，从天眼查获悉，泰科天润半导体科技（北京）有限公司（以下简称泰科天润）发生工商变更，新增泸州老窖集团成员广州壹期金

6月22日-23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会在济南召开。其中“金刚石和半导体测试技术”平行论坛上，实力派嘉宾代表们深入研讨，分享相关技术最新研究成果，探讨发展趋势与前沿。

6月22日-23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会在济南召开。 “碳化硅晶体技术及其应用”平行论坛上，实力派嘉宾代表们深入研讨，分享相关技术最新研究成果，探讨发展趋势与前沿，观点交互，碰撞激发新的思路，共同促进产业技术发展。

清纯半导体（宁波）有限公司与苏州悉智科技有限公司在清纯半导体宁波总部签订车载电驱功率模块&供电电源模块用SiC芯片定制开发战略合作协议。

合盛硅业董事&合盛新材料总经理浩瀚表示,合盛新材从2018年开始正式进军碳化硅产业,目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及芯片外延等全产业链核心工艺技术,突破关键材料(多孔石墨、涂层材料)和装备的技术壁垒,6英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证,8英寸衬底研发进展顺利。

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，北京中电科电子装备有限公司副总经理刘国敬受邀将出席会议，并做《先进Grinding设备及工艺助力大尺寸SiC量产》的主题报告，敬请关注！

意法半导体（简称 ST）与吉利汽车集团宣布，双方签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，创锐光谱科技有限公司董事长金盛烨受邀将出席会议，并带来《瞬态光谱技术及其在SiC晶圆缺陷检测中的应用》的主题报告。

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议，并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告

近日，泰科天润披露了最新6英寸SiC电力电子器件产业化项目环境影响报告表。文件显示，泰科天润6英寸碳化硅电力电子器件产业化项

4月8日，安建半导体宣布C1轮融资圆满收官，获得超过2亿元融资，由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投

近日，据湖北新闻透露，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶片及外延片、年产

根据桐庐经济开发区管委会报道，3月31日，在浙江省桐庐经济开发区招商引资项目签约仪式上，激光切割设备及年产100万片SiC衬底生

近日，厦门大学康俊勇教授团队康闻宇特任副研究员和尹君副教授在人工智能辅助的SiC单晶无损表征方面取得重要进展，相关研究成果以“Non-destructive and deep learning-enhanced characterization of 4H-SiC material”为题发表于Aggregate期刊。该工作为重现SiC晶体的生长过程、快速优化生长工艺提供一条全新的途径，相关技术对于提高第三代半导体单晶生产效率表现出重要的应用前景。