第三代半导体产业数字化公共服务平台

仙港工业园管委会在会上与奈沛米（上海）半导体有限公司成功签下一个重磅协议项目——第三代碳化硅功率半导体封测制造项目，为园区发展注入了新的活力。

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学/教授、广州南砂晶圆半导体技术有限公司/技术总监杨祥龙将出席会议，并带来《8/12英寸碳化硅单晶衬底材料的研究进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，北京天科合达半导体股份有限公司CTO刘春俊将受邀出席论坛，并带来《大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展》的开幕大会主旨报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

方正微电子副总裁/产品总经理彭建华发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品

格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

近日，特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，连城数控半导体装备事业部/连科半导体有限公司总经理胡动力受邀将出席会议，并带来《8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向》的主题报告，敬请关注！

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

超芯星新一代8mΩcm低阻碳化硅衬底，拥有零TSD缺陷和极低的BPD密度（53个/cm2）的卓越晶质，将为下游客户带来四大核心变革

日前，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。这也意味着，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整

12英寸碳化硅上下游生态仍处于前期验证阶段，尚不具备大规模产业化条件，公司将视产业链成熟度及客户需求稳步推进

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

据徐州日报报道，近日，徐州高新区再传捷报江苏集芯先进材料有限公司（以下简称江苏集芯）成功出炉首枚8英寸液相法（LPE）高质量

中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。