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为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025于厦门召开。期间，北京北方华创微电子装备有限公司协办的“碳化硅材料生长及应用”分论坛上，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新进展。

11-12日，本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨（ShortCourse）”开讲，业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题，深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势，跟踪产业前沿趋势，了解最新研发成果。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）将在厦门召开。作为论坛重要分会，“碳化硅材料生长及应用”最新报告安排出炉。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA 2025将在厦门召开。作为论坛重要分会，“碳化硅功率电子器件及其封装技术分会”最新报告安排出炉。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，电子科技大学教授/博导邓小川将受邀出席论坛，并在Short course专题技术培训课程中分享《高压碳化硅MOSFET器件性能提升技术的发展及其挑战》的主题报告，敬请关注！

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。

天成半导体官微宣布，继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东将受邀出席论坛，并带来《一种具备自动时序功能适用于碳化硅功率MOSFET的智能动态栅极驱动器》的主题报告，敬请关注！

本参考设计展示了如何使用碳化硅 (SiC) MOSFET 来优化电动汽车辅助电机、暖通空调 (HVAC) 及其他类似应用中的电机驱动性能。该设

芯联集成与理想汽车隆重举办理想&芯联集成合作伙伴交流会暨BAREDIE晶圆下线仪式

仙港工业园管委会在会上与奈沛米（上海）半导体有限公司成功签下一个重磅协议项目——第三代碳化硅功率半导体封测制造项目，为园区发展注入了新的活力。

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学/教授、广州南砂晶圆半导体技术有限公司/技术总监杨祥龙将出席会议，并带来《8/12英寸碳化硅单晶衬底材料的研究进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，北京天科合达半导体股份有限公司CTO刘春俊将受邀出席论坛，并带来《大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展》的开幕大会主旨报告，敬请关注！

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。