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12英寸碳化硅上下游生态仍处于前期验证阶段，尚不具备大规模产业化条件，公司将视产业链成熟度及客户需求稳步推进

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

据徐州日报报道，近日，徐州高新区再传捷报江苏集芯先进材料有限公司（以下简称江苏集芯）成功出炉首枚8英寸液相法（LPE）高质量

中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。

由宽禁带半导体国家工程研究中心主办，InSemi Research、协创微半导体联合承办，碳化硅芯观察协办，功率半导体行业联盟、高端芯片产业创新发展联盟、无锡市半导体行业协会、无锡市集成电路学会协办的“功率器件制造测试与应用大会(第三届IPF 2025)”将于2025年8月21-22日在中国无锡盛大启幕。

这款 200 kW 三相逆变器参考设计展示了基于 Wolfspeed 创新型的 2300 V 无基板碳化硅 (SiC) 功率模块的设计简洁性和可扩展性。该

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工建设

近年来，全球半导体产业迎来爆发式增长，中国半导体市场更是呈现资金加速涌入、产能快速扩张、企业积极出海的发展态势，半导体设

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

中宜创芯宣布成功将碳化硅粉体纯度突破8N，粉体纯度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行业纪录。

7月7日，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。进一步优化完善我国充电设施网络布局

济南市生态环境局发布了山东天岳先进科技股份有限公司碳化硅材料产业项目（一期）的获批公示。

中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。

据香港特别行政区政府新闻公报网站，香港创新科技署（创科署）6 月 25 日宣布，创新及科技基金下设的新型工业评审委员会支持杰立

浙江晶瑞电子材料有限公司年产60万片8英寸碳化硅衬底片切磨抛产线项目

据株洲新区发布消息，6月22日上午，诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式在株洲高新区举行。该项目总投资约1.5亿元，

深圳基本半导体股份有限公司在粤港澳大湾区的产能布局再获突破。6月4日，广东省投资项目在线审批监管平台公示显示，其全资子公司