近日，三安光电在投资者互动平台上回应投资者提问，详细披露了公司在化合物半导体领域的最新进展。公司表示，正持续推进化合物半导体前瞻性技术方向布局，旗下湖南三安已布局氧化镓、金刚石等第四代半导体材料的研发。这标志着三安光电在第三代半导体（碳化硅、氮化镓）基础上，进一步向更宽禁带、更耐高压的第四代半导体材料延伸。

第四代半导体材料以氧化镓和金刚石为代表，具有更高的击穿电压、更低的导通损耗和更好的热稳定性，适用于极端环境下的功率器件和射频应用。湖南三安作为公司第三代半导体核心基地，已具备成熟的碳化硅和氮化镓产线，此次布局第四代材料，将进一步巩固公司在宽禁带半导体领域的领先地位。公司强调，将密切关注前沿科技发展方向，为AI/AR眼镜、数据中心、AI服务器电源等领域提供多样化产品支持。

在AI/AR眼镜领域，三安光电Micro LED产品正与国内外终端厂商紧密配合，进行方案优化，已从技术验证阶段迈向小批量验证。这意味着Micro LED作为下一代显示技术，在高亮度、低功耗和小尺寸方面的优势，正逐步在AI/AR穿戴设备中落地。同时，湖南三安的碳化硅光学衬底产品也与AI/AR眼镜领域的国内外终端厂商及光学元件厂商开展深度合作，已向多家客户实现小批量交付。碳化硅衬底在光波导应用中可显着提升光学性能和散热效率，为AR眼镜的轻薄化和高清晰度提供关键支撑。

在数据中心及AI服务器电源领域，湖南三安的碳化硅产品已实现规模化应用。公司碳化硅器件已向长城、维谛技术、伟创力、台达、光宝等头部客户实现量产供应。这些客户多为全球知名电源和服务器解决方案提供商，覆盖数据中心核心基础设施。针对AI服务器高功率密度需求，公司推出高散热、低寄生参数的100V及650V耐压等级GaN产品，目前已为国内头部设计公司提供代工服务。GaN器件在高频开关领域的优势，可大幅提升电源效率，降低能耗，这对AI训练和推理负载日益增长的数据中心至关重要。

此外，在数据通信领域，三安光电的光芯片业务保持快速迭代。公司400G光芯片已实现批量出货，800G光芯片进入小批量出货阶段，1.6T光芯片处于研发中。随着AI大模型驱动的数据流量爆发，光通信芯片需求持续攀升，三安光电在高速光芯片领域的积累，将直接受益于数据中心互联升级。

总体来看，三安光电正通过多维度布局，构建从第三代到第四代半导体的完整技术链条。公司在AI相关场景的落地进展，涵盖显示（Micro LED）、光学衬底（碳化硅）、功率管理（碳化硅/GaN）和高速互联（光芯片），形成了较强的协同效应。这些产品已从研发验证转向小批量甚至量产阶段，客户覆盖国内外头部企业，显示出较强的市场认可度。

作为国内化合物半导体龙头，三安光电的持续投入有望在AI算力基础设施和智能终端领域占据更多份额。未来随着第四代半导体研发深化，以及AI应用需求的进一步释放，公司在化合物半导体赛道的增长潜力值得关注。