第三代半导体产业数字化公共服务平台

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，元旭半导体科技股份有限公司董事会主席兼CEO席光义做了“从芯到屏 智显未来——开启Micro-LED智慧显示时代”的主题报告，分享了Micro-LED显示技术的机遇、挑战与创新方向。

国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为半导体结构以及其形成方法的专利，公开号CN 118900619 A，申请日期为

晶盛机电披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体设备领域积极布局大硅片制造、芯片制造、封装等设备的研发，并逐步实现 8-1

天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司低压超结MOSFET的工艺方法专利公布，申请公布日为2024年10月11日，申请公布号为CN118762

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”与“Mini/Micro-LED及其他新型显示技术”分会日程出炉，敬请关注！

国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为一种沟槽型SiC器件及其制备方法的专利，公开号CN 118888594 A，申

国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利，公开号CN 118888436

国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号 CN 118888448 A，申请

国家知识产权局信息显示，上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利，公开号 CN 118881

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为半导体材料生长速率的测试方法的专利，授权公告号为CN11

天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为MEMS器件及其制造方法的专利，授权公告号为CN109650326B，授权公告日为

国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为一种光刻机对准方法的专利，公开号CN 118838133 A，申请日期为

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为掩膜版图形及其优化方法的专利，公开号 CN 118838110 A，申请日期

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及制备方法的专利，公开号CN 118829192 A，申请日期为2023

国家知识产权局信息显示，深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利，授权公告号CN 221885077 U，申请日期为2024

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817