国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119767774 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，阻 隔 层形成在所述第一功函 数层的侧壁上，第二功函 数层形成在阻隔层的侧 壁上，阻隔层将第二功函 数层和第一功函数层相 隔离，第二功函数层中的 元素不易穿过阻隔层扩 散到第一功函数层中，因此第一晶体管和第二晶体管之间不易 出现电学参数失配(Mismatch)的问题，半导体结构工作时，第 一功函数层能够很好的对后续形成的第一晶体管进行阈值电 压的调节，第二功函数层能够很好的对后续形成的第二晶体管 进行阈值电压的调节，有利于提高半导体结构的电学性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。