第三代半导体产业数字化公共服务平台

中国氧化镓衬底领域领先企业镓仁半导体与德国氧化镓外延头部企业NextGO.Epi 签署全球战略合作协议，双方将依托技术优势协同攻关，聚焦超宽禁带半导体材料氧化镓的研发与产业化，此次强强联合将共同推动氧化镓在新能源、电力电子等领域的应用突破，为全球半导体产业注入新动能。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红将受邀出席论坛，并带来《宽禁带半导体3D集成技术》的主题报。报告将围绕材料异质集成、器件3D集成与功能模块3D集成三大方向展开分析，分享最新研究成果，敬请关注！

近期，宽禁带半导体国家工程研究中心郝跃院士、马晓华教授团队在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）领域取得重要突破，成

氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探

全文刊载于《前瞻科技》2025年第1期新材料前沿：技术创新与未来展望，点击文末阅读原文获取全文。赵璐冰-副研究员-第三代半导体

日盲紫外探测器（200-280nm）作为国防安全与环境监测的火眼金睛，在森林火灾预警、深空探测等领域发挥着不可替代的作用。然而，

近日，兰州大学物理学院青年研究员张泽民，联合李颖弢教授，中科大赵晓龙教授、龙士兵教授，在宽禁带半导体光电探测领域取得重要

近日，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。在国际知名

从兰州大学获悉，该校物理科学与技术学院联合中国科学技术大学组成的研究团队，在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展，成功开

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术.

沙特阿卜杜拉国王科技大学先进半导体实验室（Advanced Semiconductor Laboratory）在超宽禁带半导体氮化铝（AlN）肖特基势垒二极管（SBDs）性能优化上取得重要进展。

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。中国科学院上海微系统与信息技术研究所游天桂受邀将出席论坛，并带来《基于离子束剥离与转移技术的宽禁带半导体异质集成材料与器件》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心，原技术总师史冬梅受邀将出席论坛，并带来《氧化镓和金刚石超宽禁带半导体技术发展态势》的主题报告，敬请关注！

【项目概况】超宽禁带半导体相关设备采购招标项目的潜在投标人应在湖北省政府采购电子交易数据汇聚平台（网址：https://czt.hube

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。

近日，半导体照明联合创新国家重点实验室官网正式官宣宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室重组获批，但目前官网页面的

进入第四季度以来，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目正开足马力，抢抓施工

镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202