作为第四代半导体材料，氧化镓具有超宽禁带（4.8eV）和超高击穿电场强度（8MV/cm），在耐高压、耐高温、高频和抗辐射等性能上优势明显。其独特的紫外透过特性（透过率超80%）和相对低廉的制备成本，进一步拓宽了应用场景。短期突破国防材料极端场景，长期将赋能千亿民用市场。

近日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2025）在厦门召开。 

期间，杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁受邀参会，并在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告，分享了氧化镓单晶生长技术，提拉、铸造及VB单晶生长研发，氧化镓的缺陷研究等内容。氧化镓晶体生长面临着高温下氧化镓易挥发分解，需含氧的生长环境； 高熔点+氧化生长环境，坩埚选择余地小，且需重新开发生长装备及技术；导热差+自由载流子吸收强，固液界面极不稳定等挑战。

氧化镓晶体生长方法种类繁多：目前浮区和冷坩埚法看不到产业可能；提拉法由于尺寸放大等问题，难以规模化应用；现阶段主要做的导模法，由于成本等问题，在规模产业化上无竞争力；铸造和VB法在尺寸、成本、质量等诸多方面，均展现出规模产业化的极大潜力。 报告详细介绍了提拉法生长氧化镓、铸造法生长氧化镓、布里奇曼法生长氧化镓的研究进展。研究开发的铸造法等技术已成功实现多种晶向，不同掺杂，大尺寸（8英寸）氧化镓晶体的生长，可满足各种外延，器件需求。根据测算，现有技术量产后就可以将8英寸衬底成本做到2000元以下，进一步降低成本将会在2~3年内完成，为产业提供高质量、廉价衬底。高质量、低成本的衬底可以辅助同行攻克一些关键问题，比如大尺寸外延、缺陷行为、p型掺杂、大面积大电流器件。氧化镓的产业化进程将逐渐加速，衬底、外延、器件、应用的结合应更为紧密，实现超越。 

企业简介

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，获得14项国际、国内发明专利，打破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法等单晶生长新技术，实现8英寸氧化镓单晶衬底和晶圆级(010)单晶衬底的生产技术突破，并开发了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化镓产品及设备。

产品：VB法氧化镓长晶设备

产品：8英寸氧化镓衬底

（根据现场资料整理，仅供参考）