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成都辰显光电有限公司在2024年1月16日宣布，成功点亮了全球首款88英寸P0.5 前维护TFT基Micro-LED拼接屏，这一创新成果不仅代表了

通过一种低成本、易操作的热退火方法，实现了对PECVD法生长的Ga2O3薄膜的表面调控，并基于能带调控理论，探索了这种热重组工程对基于Ga2O3的MSM型电光探测器性能的具体影响，提出了可实现的表面改性方法，涉及宽带隙半导体Ga2O3的表面物理与光电物理的融合。

GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等，由于难以实现纳米尺寸、空间密度、形貌、结构等的有效控制，限制了纳米材料和器件的发展和应用。报告介绍一种新型GaN微纳结构的制备方法、光电特性及其紫外探测器件。

香港中文大学（深圳）冀东介绍了GaN同质外延中的雪崩特性的最新研究进展，涉及GaN同质外延中雪崩击穿的表征、GaN同质外延中碰撞电离系数测量，以及功率器件和雪崩光电二极管的应用等。

中国科学院半导体所申报的项目“高性能钙钛矿半导体光电器件的载流子输运调控及缺陷钝化研究”荣获2022年度北京市自然科学奖一等奖

“低缺陷氮化铝材料制备关键技术及其深紫外光电器件”项目荣获吉林省技术发明一等奖。

阳光电源高级工程师，中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告，分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战，以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。

近日，广东省高新技术企业协会网发布《关于公布2023年广东省名优高新技术产品评选通过正式名单的通知》，国星光电子公司风华芯电

VCSEL是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。VCSEL的优异性能已引起广泛关注，成为国际上研究的热点。

高性能陶瓷基板具有优异的机械、热学和电学性能，在电子和半导体领域有着广泛的应用，可以支撑和固定半导体材料的基础材料。其低

十四五开局之始，各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向，构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展十四

半导体材料是信息技术产业的基石，氧化镓（Ga2O3）是潜力新星超宽带隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部

Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势，已

近日，中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案，为光电探测器的研究提供了新的思路。日盲光

化合物半导体在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色，推动了许多先进技术的发展。近年来在在光电子学、GaN功率

在过去的十年里，固态照明行业创造了数万亿美元的收入，引领了全球照明领域的能源革命。然而，传统的固态照明应用已经日趋成熟，

9月19日，以半导体设备与新材料为主题的产学研对接会在北京大学东莞光电研究院（下称北大光电院）召开。来自激光器、Micro LED、

近日，由中国科学院和国家自然科学基金委员会联合部署，中国科学院院士郝跃担任编写组组长、学科领域知名院士专家共同研究编撰的

日前，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下