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国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法的专利，授权

氮化物基发光二极管（LED）可广泛应用于照明、显示及通信领域。其中，光源的线偏振特性作为一项关键的功能扩展，为显示背光、3D

天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式，进一步助力我区新型显示、半导体产业发展。

国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

韩国政府决定将四大先进产业（半导体、显示器、二次电池和生物）的政策融资扩大到2025年的25.5万亿韩元（约合人民币1285亿元）。

在智能化和AI时代，万物互联、万物互控、万物互学，显示无处不在。作为战略性新兴产业和战略必争领域的关键支撑，新型显示材料始终占据着显示产业价值链的高端。

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，浙江睿熙科技有限公司申请一项名为VCSEL 集成晶圆及其制造方法的专利，公开号 CN 119134035 A，申请日

12月17日，Cree LED宣布与达科（Daktronics）签署一项为期多年的全球专利许可协议，该协议将于2024年12月生效。Cree LED将在协议

半导体产业网获悉：近日，根据破产资讯网披露的《北京世纪金光半导体有限公司管理人公开选聘审计、评估机构的公告》显示，北京市

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，广州市鸿利显示电子有限公司（鸿利智汇全资子公司）总经理刘传标做了“创新MLED技术，赋能直显和背光车载市场 ”的主题报告，分享了显示领域的发展现状，以及鸿利显示Mini LED特点及优势等内容。

位于江苏盐城综合保税区二期七号厂房的罗化芯显示项目，其3条Mini/Micro LED模组线已正式运营，预计达产后可实现年销售2亿元。

“Mini/Micro-LED技术产业应用峰会”上，元旭半导体科技股份有限公司董事会主席兼CEO席光义做了“从芯到屏 智显未来——开启Micro-LED智慧显示时代”的主题报告，分享了Micro-LED显示技术的机遇、挑战与创新方向。

国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为半导体结构以及其形成方法的专利，公开号CN 118900619 A，申请日期为

晶盛机电披露投资者关系活动记录表显示，公司在半导体设备领域积极布局大硅片制造、芯片制造、封装等设备的研发，并逐步实现 8-1

天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司低压超结MOSFET的工艺方法专利公布，申请公布日为2024年10月11日，申请公布号为CN118762