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北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席论坛，并将带来《基于大失配外延的氮化物第三代半导体材料与器件》的大会报告，敬请期待！

IFWS的重要分会之一的“超宽禁带半导体技术分会I”最新报告日程正式出炉。分会将于11月20日在苏州国际博览中心G馆 • G106召开，诚挚邀请业界同仁同聚！

研究背景-Ga₂O₃ 作为新兴超宽禁带半导体材料，具有约 4.9 eV 的准直接带隙，其光响应峰值正好落在日盲紫外波段，是制备日盲紫

2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，北京大学教授、理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波受邀将出席会议，并带来《AlN单晶衬底和外延薄膜的制备》的大会主旨报告

中国科学院宁波材料技术与工程研究所（以下简称宁波材料所）张文瑞研究员、郭炜研究员长期招聘博士后，招聘方向为氧化物、氮化物

宽禁带半导体技术快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之

随着高性能、高功率、高频率等需求的不断扩展以及技术的不断提升，超宽禁带半导体呈现出越来越明显的应用优势，在多个领域都具有

碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体具有诸多优势，碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性，使其在家用电器、电机节

以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。其中，氧

氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，有着显著的

4月8日，2023特色工艺半导体产业发展常州峰会举行。会上，宽禁带半导体国家工程研究中心常州分中心揭牌，龙城芯谷项目启动。常州

核心提示：半导体产业网讯：近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，厦门大学康俊勇教授团队采用铁电栅控方法，首次实现了对单层和双层WS2的非易失性能谷调控，并在室温下获得了较高的谷极化

半导体产业网讯 近日，西安交大电子学院先进光电所云峰教授团队在六方氮化硼薄膜大面积制备及剥离方面取得了重要进展。该成果以

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

南沙通过强化招商引资工作，率先抢占产业发展制高点，引进培育了芯粤能、芯聚能、晶科电子、联晶智能、南沙晶圆、先导半导体高端设备等一批行业龙头企业，已初步形成覆盖半导体和集成电路设计、制造、封装测试、设备材料等全产业链环节。

近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，

济南宽禁带半导体产业特色小镇起步区旨在承接京津冀和环渤海、省会都市圈、半导蓝色经济带产业升级，构建以宽禁带半导体研发试验、中试和产业化生产为主导的创新性、科技型、集约化的国内一流宽禁带半导体产业园。

郝跃院士及其团队实现了宽禁带半导体从核心设备、材料到器件的重大创新