第三代半导体产业数字化公共服务平台

香港科技大学（HKUST）的研究人员开发了一种新的集成技术，用于高效集成III-V族化合物半导体器件和硅，为低成本、大容量、高速度

2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为构件、晶体管器件、功率器件及制造构件的方法，公开号C

据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为一种半导体器件结构及其制备方法和应用，公开号CN117293183A，申请日期为2023年9月

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前

2023化合物半导体器件与封装技术论坛将于10月12-13日在深圳召开。

近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通

近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指

功率与光电半导体器件的设计与集成应用在提高能源利用效率、推动通信技术进步、促进科学研究和医疗技术革新等方面发挥着至关重要

7月26-28日，江苏省第三代半导体研究院邀您参加在西安召开的2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛。CASICON 2023西安论坛

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于7月26-28日在西安召开。

近日，中国科大微电子学院两篇论文入选第35届功率半导体器件和集成电路国际会议（IEEE ISPSD，全称：IEEE International Symposi