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华为申请碳化硅衬底制备方法专利，使碳化硅衬底内部应力分布均匀

编辑： 发表于：2024-12-25 来源：半导体产业网

 国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备”的专利，公开号 CN 119153493 A，申请日期为 2023 年 6 月。专利摘要显示，本申请公开一种碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备。碳化硅衬底，包括：第一表面、与第一表面相对设置的第二表面。而本申请公开的碳化硅衬底，可以实现两个测试点的应力之差小于或等于 35Mpa，使碳化硅衬底具有较小的应力差，以使得碳化硅衬底内部的应力分布均匀。另外，本申请公开的碳化硅衬底还可以实现一个测试点的应力绝对值小于或等于 30Mpa，使得碳化硅衬底具有较小的应力。基于此，将本申请公开的具有较小应力、且内部应力分布均匀的碳化硅衬底应用在半导体器件中，可以使半导体器件具有较高的良率。

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