材料的更替是现代科技进步的根本推动力。作为第三代半导体材料，立方氮化硼（c-BN）具有仅次于金刚石的硬度，在高温下良好的化学稳定性、耐腐蚀、抗氧化、超宽带隙、高热导率、低介电常数、高击穿场强、高饱和漂移速度和可发射及探测至深紫外的短波长光，可以通过掺杂得到n型或p型半导体材料等诸多特性，在大功率电子学、深紫外光电子学和量子通信等领域具有很大的应用前景。当前六方氮化硼在第三代半导体中的具体应用仍然处于研究和探索阶段。未来，随着对新型材料的深入理解和技术的不断发展，六方氮化硼等材料可能会在第三代半导体领域中找到更多的应用。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。期间，“超宽禁带半导体技术分会“上，郑州大学鲁正乾分享了六方氮化硼的研究进展。涉及表面形态和XRD、外延氮化硼与衬底之间的界面、晶体取向、Sp2结合验证等内容。
研究显示，蓝宝石、AlN/蓝宝石模板和金刚石衬底上生长的hBN，在不同衬底上生长的所有BN膜都观察到褶皱图案，生长的氮化硼薄膜可以看到Sixfold对称性，表明形成了六边形氮化硼。B（~190eV）和N（~401eV）的K边上的π*和σ*能量损失。平面外延关系：[0001]h-BN ∥ [0001]sapphire and [10-10]h-BN ∥ [11-20]sapphire；[0001]h-BN ∥ [0001]AlN and [10-10]h-BN ∥ [11-20] AlN；[0001]hBN ∥[111]diamond and [10-10]hBN ∥ [11-2]diamond；
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）