现代电子技术对半导体材料提出了高压、高频、高功率、高温以及抗辐射等新要求，碳化硅凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，对电力电子行业发展有着巨大影响。并在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，展现出了良好的发展前景。
碳化硅 (SiC) 现已广泛用于商用高压电子开关设备。利用击穿的高临界场，提高掺杂水平，减小阻挡区的宽度；因此，与硅高压开关相比，导通电阻降低了400倍。宽带隙会导致本征载流子浓度的强烈降低，因此可以在高温下工作。即使在500–800°C 或更高的温度范围内，SiC器件和集成电路也能运行。
研究SiC电子产品的另一个极端环境是抗辐射环境，例如航空航天和核能。随着科学技术的发展对电子系统也提出了越来越高的抗辐照要求。空间和航天技术使人们再外层空间的活动日益增多，但宇宙射线和围绕地球的范.艾伦辐射带却时刻在向外层空间飞行用电子系统的可靠性发出挑战。航天飞行器及核潜艇所使用核反应堆的体积由于要受到限制，使得所使用的控制及测量设备不能得到充分的辐射屏蔽，那么提高电子系统的抗辐射能力对于提高整个设备的运行质量和延长使用寿命就非常关键。科技的进步会把人们拖入更多的辐射环境中，
如何减少微电子器件的辐照损伤，人们已提出了从材料选择到微电子器件内的电路设计、结构设计、制作工艺等许多方面的加固技术。近几年来生长工艺日趋完善的SiC在抗辐照领域显示出了强大的发展潜力，SiC材料的宽禁带和高的原子临界位移能决定了其器件具有强的抗电磁波冲击和高的抗辐射破坏的能力。如果SiC器件结构参数能进一步优化，其抗辐照能力有望再得到提高。
在寻求新一代抗辐照半导体材料的同时，研制耐高温，大功率和高频的半导体器件是90年代以来微电子领域研究的热点，SiC作为第三代半导体是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，其优异的性能顺应了时代的要求，SiC器件会在航空、航天、核能、汽车及通信等领域发挥重要作用。
2021年11月29日-12月1日，半导体领域的年度盛会，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）将于深圳举行。此次，瑞典皇家理工学院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做题为《用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路》（SiC Integrated Circuits for Extreme Environment Electronics）大会报告，分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果，并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和CMOS集成电路技术的实验结果。
嘉宾简介
Carl-Mikael Zetterling教授毕业于瑞典皇家理工学院（KTH） ，分别于1991年和1997年获得硕士和博士学位。1997年，入职KTH电气工程学院，他自2005年起担任固态电子学教授，自2018 年起担任电子和嵌入式系统部门负责人。1995-1996年，斯坦福大学集成系统中心特邀学者。1998年、2001年，两次赴日本京都大学担任特邀教授。
Zetterling 教授的研究领域是高压功率器件的工艺技术和器件设计，以及碳化硅中的高温辐射硬模拟和数字集成电路。他是KTH“在金星上工作”项目的主要参与人之一。他与他人合作发表了约 280 篇学术论文（包括期刊与会议），包括编辑一本关于碳化硅器件工艺技术的书，并与Jude Carroll合著关于学术诚信的著作。Zetterling教授曾在TMS电子材料会议和IEEE SISC会议的技术程序委员会任职。他是IEEE Journal of the Electron Devices Society 的编辑。
关于论坛
国际第三代半导体论坛（IFWS）是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，联结产、学、研、用，提供全球范围的全产业链合作平台。在过去的六年时间里，IFWS延请宽禁带半导体领域国际顶级学术权威分享最前沿技术动态，已发展成具有业界影响力的综合性专业论坛。
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作，引领半导体照明产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业工艺装备、原材料，技术、产品与应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台，致力于拓展业界所关注的目标市场，以专业精神恒久缔造企业的商业价值。在过去的十七年里，SSLCHINA邀请了包括诺贝尔奖得主在内的全球最顶级专家阵容，呈现了超过1800个专业报告，累计参会代表覆盖全球70多个国家逾26500人次。
国际第三代半导体论坛与中国国际半导体论坛同时同地举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
IFWS & SSLCHINA 2021旨在推动半导体照明技术的革新与跨界应用，积极促进第三代半导体在电力电子、光电、移动通信等领域的技术应用的国际交流与合作，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、器件、模块、下游应用的创新发展，并为全球范围内第三代半导体全产业链的交流与合作提供平台。
论坛聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展；第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略、失策与机遇；第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合；产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。也欢迎业界同仁参与其中，对接资源，洽谈商机，共商产业发展大计。
时间&地点
会议时间：2021年11月29日-12月1日
会议地点：中国-广东-深圳会展中心
论坛主题 ：创芯生态 碳索未来
主办单位
国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
日程总览
备注：点击可查看大图，最新日程持续更新中！
据悉，论坛会期设置了功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛等七大分论坛，分论坛下设27场次主题分会。
其中，功率电子器件与应用论坛下设碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、功率模块封装及可靠性、新一代电源应用技术、能源互联网应用技术等主题分会；射频电子器件与应用论坛涵盖氮化镓射频器件、射频应用技术等主题分会；材料与装备论坛下设碳化硅衬底与外延、氮化镓衬底与外延、超宽禁带半导体材料、生长装备与其他装备等主题分会；半导体照明与应用论坛下设半导体照明芯片、封装、模组及可靠性，智慧照明与智慧城市，景观设计与文旅灯光等分会；Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛设有Mini/Micro-LED技术，Mini/Micro-LED应用与产业，激光显示技术，钙钛矿与量子点，OLED与其他新型显示技术主题分会；超越照明论坛设有光健康、光医疗、光品质、光通信与感知技术、生物与农业光照技术设有主题分会；固态紫外器件与应用论坛下设固态紫外材料与器件技术、紫外模块封装技术、紫外器件应用等主题分会。
同时，为应对汽车半导体产业“缺芯”及产业链对接难题，论坛拟设置车用半导体创新合作峰会，帮助汽车半导体产业链优秀企业，在了解国际前沿技术的同时，为推动国产化器件及应用提供支撑和帮助。为了搭建更充分的交流平台，论坛拟设置青年学术论坛、联盟活动、交流与展示等众多同期活动。
注册费用权益表
备注：
＊国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。
＊SSL相关会议包含：开幕大会，半导体照明与应用论坛，Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、材料与装备论坛、车用半导体创新合作峰会、青年学术Workshop。
＊IFWS相关会议包含：开幕大会，功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、闭幕大会、青年学术Workshop。
＊产业峰会包含：车用半导体创新合作峰会以及部分论坛中的产业单元。
＊自助餐包含：11月30日-12月1日午餐。
报名优惠期
即日起至2021年10月15之前，完成注册缴费即可享受早鸟折扣票（详见上图），国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
征文投稿时间节点
1.第一轮摘要录用通知：2021年9月1日（请注意查看邮箱）
2.第二轮摘要/全文提交截止日期：2021年10月15日
3.第二轮论文录用通知：2021年11月1日
4.口头报告演示文件（PPT或PDF）与POSTER电子版提交截止日：2021年11月22日
备注：目前已经进入专家审稿程序，在全文提交截止前仍可继续投稿，欢迎大家直接投全文！
联系方式
论文咨询
白女士
电话：010-82387600-602
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