7月11日，银河微电（688689）公告称，将投资3.1亿元实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”。此举意在提升公司在集成电路分立器件领域的生产加工能力、扩大规模，以应对市场需求的增长。
图片来源：银河微电公告截图
银河微电是国内领先的半导体分立器件制造商，产品涵盖小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC及第三代半导体（SiC、GaN）器件，广泛应用于汽车电子、消费电子等多个领域。近年来，下游需求强劲，我国半导体分立器件行业市场规模扩大，银河微电营收也逐年上升，2022 - 2024年分别为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元。
该项目选址江苏常州新北区薛家镇，建设周期30个月，资金来自自有或自筹资金，主要用于购地和厂房土建，为后续引入自动化设备、构建智能化生产线打基础。公司表示，现有产能受场地、设备和人力限制，难以满足市场需求，推进该项目可促进业务发展、提升盈利水平。
目前，硅材料平台仍是主流，但SiC、GaN等新工艺平台正走向成熟，在新能源汽车等场景应用占比提升。银河微电紧跟趋势，2024年优化产品结构，提升MOS等产品销售占比，推动产销量增长。车规级半导体器件产业化项目客户拓展有突破，还推进光电器件及IGBT器件扩产、加大设备投入。
公司加快高端产品研发及产业化，已初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片设计能力并小批量应用。“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段，产品获多家车企供应链认证，聚焦新能源汽车相关领域，满足国际车规标准，逐步替代海外厂商中高端市场份额。
银河微电此次投建项目，不仅利于自身发展，也将推动国内半导体分立器件行业发展，提升我国半导体领域竞争力，后续项目进展值得持续关注。