国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法”的专利，公开号 CN 119635420 A，申请日期为 2024 年 12 月 。
专利摘要显示，本发明涉及 一种 8 英寸碳化硅晶圆单 面抛光方法，采用半径小 于 8 英寸的陶瓷盘对 8 英 寸碳化硅晶圆进行单面 抛光，通过合理设置晶圆 与陶瓷盘及抛光盘的距 离，确保抛光过程中的力 学平衡和高效抛光。抛光 布和槽体的优化设计进 一步增强了抛光液的流 动性和均匀性。利用小尺 寸晶圆作为辅助工具，提高了抛光过程的稳定性和加工灵活 性，使得抛光后的晶圆表面平整度满足实际生产要求，同时显 著降低了生产成本，提升了设备利用率和生产效率。本发明提 供了一种高效、低成本、灵活性强的碳化硅晶圆抛光方法，具有 显著的经济效益和实用价值。
天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币，实缴资本785.7101万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息40条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可17个。