半导体产业网讯：据“镓仁半导体”公号消息，2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破。公司与下游客户携手，对镓仁半导体(010)面氧化镓半绝缘衬底进行了深入的器件验证工作。成功制备了性能卓越的增强型晶体管，其击穿电压高达2429V，相较于进口衬底的器件验证结果，性能指标实现了显著提升。这一成就不仅展现了镓仁半导体在氧化镓衬底技术方面的领先地位，也为国产氧化镓衬底在功率器件量产应用的道路上，奠定了坚实的基础。

击穿曲线

性能参数领先

在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）晶面具有独特的物理特性，使其在外延与器件方面具有出色的表现。首先，(010)衬底热导率最高，有利于增强器件散热，提升功率器件性能；其次，(010)衬底具有较快的外延生长速率，提升外延效率。

基于镓仁半导体提供的(010)面氧化镓半绝缘衬底，下游器件客户实现了开关比大于10的7次方，击穿电压高达2429V的增强型晶体管，器件栅漏间距30 μm，栅宽3 μm，关态漏电~10-7mA/mm，在同等条件下，镓仁衬底的器件指标显著优于进口衬底的器件验证结果（2080V）。

转移曲线

输出曲线

技术创新与产业突破

镓仁半导体的这一进展得益于其在氧化镓单晶生长技术上的不断创新。

2024年3月，公司采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法，成功制备了6英寸高质量氧化镓单晶衬底。

2024年4月，镓仁半导体推出了2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了自主量产，成为全球唯一的晶圆级(010)氧化镓衬底供应商。

2024年9月，公司又推出了首台国产氧化镓专用VB法长晶设备，填补了国内技术空白，进一步助力国产氧化镓材料行业的发展。

国际竞争中的新优势

面对日益严峻的国际形势，尤其是氧化镓材料禁运政策的挑战，镓仁半导体的技术突破显得尤为重要。此次下游客户在镓仁半导体衬底上实现的器件性能超越了进口产品，进一步证明了镓仁半导体材料技术的竞争力，公司的创新成果不仅助力国内产业打破国际垄断，还推动了行业的高质量发展。

总结与展望

杭州镓仁半导体有限公司的这一技术突破，不仅展示了中国在第四代半导体材料领域的强大实力，也为全球半导体产业的发展贡献了中国智慧。随着技术的不断进步和产业化应用的加速，镓仁半导体有望在未来的半导体产业中扮演更加重要的角色。