国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为“宽禁带半导体器件”的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；宽禁带半导体层，设于衬底之上；若干源极沟槽和栅极沟槽，均平行分布于宽禁带半导体层，且两者间隔设置；源区，设于源、栅极沟槽之间的宽禁带半导体层中；第一源电极，设于源极沟槽内，在源极沟槽侧壁与宽禁带半导体层形成肖特基接触；栅电极，设于栅极沟槽内；栅介质层，包围栅电极；第二源电极，设于第一源电极之上，并与源区形成欧姆接触；电场调整区，设于至少一个第一源电极下方，用于调整源极沟槽间电场线分布；漏电极，设于衬底下面；其中，源极沟槽在垂直方向上的延伸长度超过栅极沟槽。本发明能降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险。