11月25日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项氮化铝晶片方面的团体标准立项建议，详细信息如下：
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。 T/CASAS 053—202X 氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法规定了氮化铝晶片位错密度的检测方法，适用于抛光加工后位错密度小于I0^7个cm^2的AIN晶片。通过本标准的实施，可以确保不同实验室和生产厂商之间的检测结果具有可比性，从而保障晶片质量的稳定性和可靠性。 T/CASAS 054—202X 氮化铝晶片透射谱检测方法描述了氮化铝晶片透射谱的检测方法，包括样品制备、检测设备、检测程序、结果分析和报告。适用于氮化铝晶片的质量控制和评估。