以AlGaN材料为基础的固态紫外（UV）光源，是氮化物光电子发展的重要方向和热点领域，以紫外发光二极管（UV-LED）为代表，AlGaN基固态紫外光源在紫外固化、生物医疗、以及杀菌消毒等方面具有重要价值。

2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。 本届论坛由苏州实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）(NCTIAS)、江苏第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

除了重量级开幕大会，论坛设有五大热点主题技术分会，以及多场产业峰会和先进半导体技术应用创新展，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。目前，“氮化物半导体固态紫外技术及应用分会”最新报告日程正式出炉。组委会特邀请厦门大学特聘教授康俊勇、中国科学院宽禁带半导体研发中心主任、研究员王军喜共同主持分会。

届时，将有日本三重大学教授三宅秀人，南京大学电子科学与工程学院教授陆海，中国科学院半导体研究所研究员闫建昌，厦门大学副教授尹君，北京大学物理学院长江特聘教授许福军，中国科学技术大学教授孙海定，南京大学助理教授蔡青，麻省光子技術（香港）有限公司研究科学家Muhammad Shafa，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，中国科学院半导体研究所吴涵等多位来自国内外科研院校知名专家及实力派企业代表参与，共同探讨氮化物半导体固态紫外技术及应用的前沿发展趋势及最新动向，敬请关注！ 

部分嘉宾简介

陆海

南京大学电子科学与工程学院教授

陆海，南京大学教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者，国家重点研发计划项目首席科学家。主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，取得了多项有国际影响力的成果：制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜（保持6年世界纪录），首先生长出p型、a面及立方相等新型InN材料，为三十余家国际权威研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品；联合改写和修正了多项III族氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现，藉此将Ⅲ族氮化物半导体的应用领域推广到近红外光学波段，大大拓宽了Ⅲ族氮化物半导体的研究与应用范畴；首先发现InN表面强电荷聚集效应，藉此研制出InN表面化学传感器、InN THz发射源，获《Nature》杂志专文报道；联合提出InGaN全光谱多异质结太阳能电池的概念和结构。

近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究，致力于将半导体基础研究成果推广到器件应用领域：通过发展GaN同质外延生长技术，大幅度提高了GaN半导体的晶体质量，藉此研制出高击穿电压GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光电探测器，多次获得国际主流半导体技术媒体跟踪报道；两次刷新GaN基霍尔传感器最高稳定工作温度的世界纪录；研制出现有暗电流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探测器，并带领南京大学团队在国内首先实现了高灵敏度GaN基紫外探测器的产业化；在国内首先实现SiC紫外单光子探测器；研究和澄清了GaN基功率器件和发光二极管的几个基础器件物理问题，发展了多种新型的器件测试表征方法。迄今已发表学术论文三百余篇，其中包括SCI论文230余篇；所发表文章获SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被国外同行在综述文章上称为“Major breakthrough (重大突破)”；已获得13项中国发明专利和1项美国发明专利授权；入选科技部创新人才推进计划、教育部新世纪人才计划、江苏省333人才培养计划；曾获江苏省五四青年奖章（2013）、江苏省十大青年科技之星（2014）、教育部技术发明一等奖（2015）、国家技术发明二等奖（2016）。

 

闫建昌

中国科学院半导体研究所研究员

闫建昌，中科潞安紫外光电科技有限公司总经理，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，国家自然科学基金优秀青年基金获得者，CASA第三代半导体卓越创新青年，中国科学院青年创新促进会优秀会员，山西省“三晋英才”支持计划高端领军人才，北京市科技新星计划入选者，中国光学工程学会高级会员。清华大学电子工程系学士学位，中科院半导体所博士，法国巴黎第十一大学访问学者。长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UV LED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。获北京市科学技术奖一等奖、国家科学技术进步奖二等奖、金砖国家青年创新奖二等奖。

 

尹君

厦门大学副教授

尹君，工学博士，主要研究方向为能源转换相关的光电子材料与相关器件，涉及微米纳米结构制备及在半导体材料光电行为操控上的应用、新型生物及光电传感器制备、高效全固态钙钛矿太阳能电池研发等，近年来已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊发表高水平论文多篇。目前已主持国家自然科学基金青年基金项目、中国博士后科学基金面上项目，福建省自然科学基金面上项目，江西省自然科学基金重点项目等多项科研课题，并参与国家自然科学基金面上项目、国家重点研发计划项目、福建省科技计划项目及厦门市科技项目等多项。

许福军

北京大学物理学院长江特聘教授

许福军，主要研究领域为宽禁带半导体材料和器件物理。近年来主要开展AlGaN 基深紫外发光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低维量子结构外延生长、缺陷控制和AlGaN的电导率调控等方面开展了较系统的研究工作，在高质量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高载流子浓度p型AlGaN方面均达到国际先进水平，并在团队支撑下突破了高性能深紫外发光二极管（LED）器件研制的关键技术，正推动科研成果落地付诸产业化实践。

近年来，作为负责人承担国家自然科学面上基金3项；作为子课题负责人参与国家重点研发计划项目1项、北京市科委重点项目1项，山东省重点研发计划项目1项和广东省重点研发计划项目1项。迄今以一作/通讯作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共发表SCI 收录论文30多篇，获得/申请国家发明专利10多件。

 

孙海定

中国科学技术大学教授

孙海定，现任中国科大微电子学院特任教授，博士生导师，iGaN Laboratory实验室负责人。先后入选国家优青，省杰青，中科院海外高层次人才计划。本科和硕士毕业于华中科技大学，师从刘胜院士。博士毕业于美国波士顿大学，师从氮化物半导体分子束外延奠基人Theodore D. Moustakas教授。长期致力于宽禁带III族氮化物（GaN等）和III族氧化物（Ga2O3等）化合物半导体材料MOCVD和MBE外延、光电器件（LED, laser, photodetector等）和电力电子功率器件（高电子迁移率晶体管HEMTs）设计与制备研究。同时开展包括低维材料与器件（纳米线，量子点），二维/三维新型半导体异质结的材料生长、载流子输运特性、光电集成器件与系统研究。

 

蔡青

南京大学助理教授

蔡青，博士生导师，南京大学毓秀青年学者。分别于2015年和2020年在南京大学获得学士学位和博士学位。研究领域为宽禁带半导体光电材料与器件，发表SCI论文40余篇。获中国电子学会优秀博士学位论文、2022年度Light杰出论文奖等。主持/参与国家重点研发计划课题、国家自然科学基金重点/面上/联合基金等项目课题研究。长期担任Light-Science&Applications、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Advanced Optical Materials等国际期刊审稿人。

三宅秀人

日本三重大学教授

Muhammad Shafa

麻省光子技術（香港）有限公司研究科学家

Muhammad Nawaz SHARIF

郑州大学

分会详细日程

技术分论坛：氮化物半导体固态紫外技术及应用 Technical Sub-Forum：Solid-State Ultraviolet Materials and Devices (Lighting & Detecting)
时间：2024年11月21日08:50-12:30 地点：苏州国际博览中心G馆 • G102 Time: Nov 21, 08:50-12:30 Location: Suzhou International Expo Centre • G102
主持人         Moderator	康俊勇 / KANG Junyong 厦门大学特聘教授 Special Term Professor of Xiamen University   王军喜 / WANG Junxi 中国科学院宽禁带半导体研发中心主任、研究员 Director and Professor of Wideband Semiconductor Research Center at Institute of Semiconductor, CAS
08:50-09:00	嘉宾致辞 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting
09:00-09:20	在面对面退火溅射沉积AlN模板上制备深紫外LED Deep-UV LEDs Fabricated on Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN Templates 三宅秀人——日本三重大学教授 Hideto MIYAKE——Professor of Graduate School of Engineering, Mie University
09:20-09:40	宽禁带半导体紫外光电探测器研究进展与产业应用 Research Progress and Industrial Application of Wideband Gap Semiconductor Ultraviolet Photodetectors 陆海——南京大学电子科学与工程学院教授 LU Hai——Professor of School of Electronic Science and Engineering at Nanjing University
09:40-10:00	非极性面AlN与紫外LED Non-polar AlN and UV LED 闫建昌——中国科学院半导体研究所研究员 YAN Jianchang——Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
10:00-10:15	基于微结构的光处理增强250nm深紫外LED提取增强技术 Microstructure-based Light Manipulation for Enhanced Light Extraction in Sub-250 nm Deep Ultraviolet LEDs 尹君——厦门大学副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen University
10:15-10:30	茶歇 / Coffee Break
10:30-10:50	AlGaN基高效发光材料和器件研究 Research on High-Efficiency AlGaN-based light-emitting Materials and Devices 许福军——北京大学物理学院长江特聘教授 XU Fujun——Distinguished Professor of Peking University
10:50-11:10	GaN基紫外光电集成器件 GaN Based UV Photoelectric Integrated Device 孙海定——中国科学技术大学教授 SUN Haiding——Professor of University of Science and Technology of China
11:10-11:25	高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器新结构设计与器件物理研究 New Structure Design and Device Physics Study of High-sensitivity Wide-band-gap Semiconductor UV Detector 蔡青——南京大学助理教授 CAI Qing——Assistant Professor of Nanjing University
11:25-11:40	UV-C LED技术在室内空气消毒中的应用研究：一种有效的无汞、无臭氧根除空气微生物的方法 Study of UV-C LED Technology on In-door Air Disinfection: An Effective Mercury-free and Ozone-free Method to Irradicate Airborne Microorganisms Muhammad Shafa——麻省光子技術（香港）有限公司研究科学家 Muhammad Shafa——Research Scientist of MassPhoton HK Ltd
11:40-11:55	基于高效n极AlGaN隧道结的254 nm DUV LED实现零效率下降 Achieving Zero Efficiency Droop in Highly Efficient N-Polar AlGaN Tunnel Junction-based 254 nm DUV LED Muhammad Nawaz SHARIF——郑州大学 Muhammad Nawaz SHARIF——ZHENGZHOU University
11:55-12:10	Low-threshold AlGaN-based Multiple-quantum-well Laser on High-temperature Annealed AlN Template 吴涵——中国科学院半导体研究所 WU Han——Institute of Semiconductor, CAS