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近期，全国建设项目环境信息公示平台发布了河北同光科技发展有限公司年产7万片碳化硅单晶衬底项目竣工环境保护验收公示。该项目

天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

4月10日，意法半导体官网宣布重塑制造布局和调整全球成本基础计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

4月8日，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司正式向港交所递交上市申请，中金公司为其保荐机构，港股有望迎来一家全球碳化硅外

2025年开局，中国新能源汽车市场延续了此前的强劲势头。1-2月产销分别完成190.3万辆和183.5万辆，同比增速达52%，渗透率攀升至41

4月7日，据大众新闻报道，天岳先进位于济南市槐荫区的碳化硅项目即将迎来投产。据了解，该项目为年产500吨碳化硅单晶基地扩产能

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯

4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流

近日，深圳市金威源科技股份有限公司与杰平方半导体（上海）有限公司正式签订碳化硅战略合作协议，双方企业负责人及相关人员出席

天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中，12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点，不仅展示了天岳先进的技术实力，也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。

碳化硅作为一种高性能材料，因其独特的物理和化学性质，在半导体行业中，特别是作为涂层材料时，展现出了显著的优势。一代材料，

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的

近日，西湖仪器成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。此

半导体产业网讯：在半导体材料领域，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其卓越的性能而备受关注。然而，高品质低成本

专利摘要显示，本发明涉及一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法，采用半径小于 8 英寸的陶瓷盘对 8 英寸碳化硅晶圆进行单面抛

天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布，申请公布日为2025年2月14日

四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功签署合作协议