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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法的专利，公开号 CN 1197

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号CN 119767774

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

国家知识产权局信息显示，苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的

谁能把握大数据、人工智能等新经济发展机遇，谁就把准了时代脉搏。国家主席习近平在金砖国家领导人第十四次会晤上的重要讲话（20

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为半导体结构的制备方法及半导体结构的专利，公开号 CN 119626900 A，申

日前，国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会正式发布（GB/T 44334-2024）《 埋层硅外延片》国家标准，并于2025年3月1日正

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

国家知识产权局信息显示，苏州创芯致尚微电子有限公司取得一项名为一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置的专利，授权公告号CN 22255

河北保定近日迎来第三代半导体产业重要突破河北同光半导体股份有限公司国家级企业技术中心正式揭牌，同时年产20万片碳化硅单晶衬

2月26日，工业和信息化部举行2024年国家高新区发展情况新闻发布会，介绍2024年国家高新区发展情况。工业和信息化部规划司司长姚

国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为功率半导体模块装置及其制作方法的专利，公开号CN 119495574 A，申

国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为工艺腔室及半导体工艺设备的专利，公开号 CN 119495543 A

国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆的专利

2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。国家新能源汽车技术创新中心总师、先进电驱动业务单元负责人刘朝辉受邀将出席论坛，并带来《碳化硅芯片先进封装和热管理关键技术》的主题报告，敬请关注！