第三代半导体产业数字化公共服务平台

8月10日-13日，第六届“全国宽禁带半导体学术会议”将于大连举办。

近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

据报道，7月21日，八亿时空在浙江上虞电子材料基地举办高端半导体光刻胶树脂产线建成仪式。由八亿时空投建的国内首条百吨级半导

美国加州时间2025年7月22日，SEMI在《年中总半导体设备预测报告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment ForecastOEM Perspe

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月21日，据陕西新闻联播报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体生产线目前已进入冲刺通线的关键节点，计划九月份开始

推动国家第三代半导体技术创新中心(苏州)(以下简称“国创中心(苏州)”)创新平台高质量发展，现面向全国发布 2025 年度国创中心(苏州)“揭榜挂帅”项目指南并组织申报

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

近日，迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户，这是公司在半导体领域达成的又一重要合作。该设备凭借高

氢基新能科技集团与主投方上海卓远方德半导体有限公司联合投资的集成电路新材料第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地项目正式动土建设。

华东理工大学与盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）正式签署共建“华东理工大学-盛美上海高端半导体装备联合技术创新转移中心”协议。

近年来，全球半导体产业迎来爆发式增长，中国半导体市场更是呈现资金加速涌入、产能快速扩张、企业积极出海的发展态势，半导体设

南京大学王欣然教授课题组在Nature Materials期刊在线发表成果，标志着二维材料可控制备的重要新进展，为二维材料多功能异质集成带来新机遇。

偏振光探测技术在复杂环境检测、多维信息通信及光学传感成像等领域具有重要应用价值。现有偏振探测技术主要依赖结构较为复杂的偏

西安电子科技大学集成电路学部郝跃教授团队张进成教授、宁静教授联合武汉大学何军教授团队在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展

重庆奥松半导体特色芯片产业基地迎来重大里程碑：其8英寸生产线首台光刻机设备在众人瞩目下平稳进场。

近日，全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights发布了关于2025年度全球半导体行业客户满意度调查（以下简称CSS）的白皮书