第三代半导体产业数字化公共服务平台

EDA贯穿集成电路（IC）产业设计、制造、封测等各个环节，在芯片产业中不可或缺，不同应用场景下器件结构性、设计流程、仿真验证

SiC、GaN功率电子器件拥有的优异特性，可以支撑新能源汽车、智慧能源、轨道交通、智能制造等新基建优势应用领域产业发展的迫切需

2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛（CASICON 2023）尊敬的各有关单位：第三代半导体是实现双碳目标、东数西

近日，国际集成电路物理设计会议（International Symposium on Physical Design， ISPD）公布竞赛结果，复旦大学微电子学院教授

近日，央视《焦点访谈》栏目播发专题报道《强强联合 补短锻长》，聚焦工信部新批复的国家石墨烯创新中心、国家虚拟现实创新中心

半导体发光器件是固态显示与照明技术的共同基础。近年来，随着人们对不同类型的发光器件的深入研究，新型显示与照明技术得到了相

近日，五矿证券发布研究报告称，展望2023年，随着中国疫情政策逐步优化，宏观经济有望回暖，消费电子等下游需求有望触底反弹，伴

核心提示：半导体产业网讯：近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，美国物理联合会(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了上

半导体产业网获悉：8月12日，能讯半导体受邀参展2022 EDICON Across China北京大会。会议现场，能讯半导体射频产品中心总监刘鑫

由工业和信息化部电子第五研究所牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等

　　半导体产业网讯：6月30日（周四）14：00，NEPCON将组织ICPF（ICPackagingFair）直播活动，本场直播将邀请世界知名封测厂与设

科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成

据悉，长电科技今日在投资者互动平台表示，公司同时具备碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)芯片封装和测试能力，目前已在光伏和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

据悉，近日，中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的

4月27日，佛山市国星光电股份有限公司发布公告称，公司于近日收到国家知识产权局颁发的9项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro

我国拥有良好的LED产业基础，全球约2/3的传统LED产业链资源都集中在中国大陆，我国还主导全球液晶面板产业，成熟的半导体技术和先进的LED固晶技术走在Mini/Micro LED行业前列，我国在Mini/Micro LED等新型显示赛道具备领跑潜能。