第三代半导体产业数字化公共服务平台

近日，泰科天润披露了最新6英寸SiC电力电子器件产业化项目环境影响报告表。文件显示，泰科天润6英寸碳化硅电力电子器件产业化项

4月16日，国家重点研发计划单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究项目启动暨实施方案论证会在济南召开。山东大学副校长芦延

4月8日，安建半导体宣布C1轮融资圆满收官，获得超过2亿元融资，由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投

近日，据湖北新闻透露，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶片及外延片、年产

根据桐庐经济开发区管委会报道，3月31日，在浙江省桐庐经济开发区招商引资项目签约仪式上，激光切割设备及年产100万片SiC衬底生

近日，厦门大学康俊勇教授团队康闻宇特任副研究员和尹君副教授在人工智能辅助的SiC单晶无损表征方面取得重要进展，相关研究成果以“Non-destructive and deep learning-enhanced characterization of 4H-SiC material”为题发表于Aggregate期刊。该工作为重现SiC晶体的生长过程、快速优化生长工艺提供一条全新的途径，相关技术对于提高第三代半导体单晶生产效率表现出重要的应用前景。

3月4日，北京顺义消息显示，顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功

碳化硅作为第三代半导体，其实并不是新鲜概念。

2023年是半导体市场承压和库存整理的年份，但其中也有明显逆势而上的产业——碳化硅（SiC）市场。

近日，清纯半导体正式推出1200V/3.5 mΩ的SiC MOSFET芯片（型号：SG2MA35120B）及对应SOT227封装器件（型号：S1P04R120SSE

基于SiC单晶制备的功率器件具有耐高温、低损耗、耐高压等优良性能，能够满足电力电子系统的轻量化、高效率和小型化的需求，在新

今日，意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，

成都辰显光电有限公司在2024年1月16日宣布，成功点亮了全球首款88英寸P0.5 前维护TFT基Micro-LED拼接屏，这一创新成果不仅代表了

Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。

2011年，国内碳化硅产业的幼苗经历十余年发展完成了晶圆尺寸从2英寸往4英寸迭代，国内导电型碳化硅产品和技术布局刚开始，产业基

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告，分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。

摇橹船科技消息称:公司已成功研发出Micro LED晶圆检测设备,可帮助显示面板企业解决巨量芯片精准转移难、坏点检测难这两大导致Micro LED 技术难以大规模商用的“痛点”。本月,该设备将在国内某显示面板企业生产线上进行应用测试。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：