第三代半导体产业数字化公共服务平台

中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商，一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

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据财联社消息，工信部部长金壮龙1月9日表示，将积极培育新兴产业和未来产业，包括人工智能、人形机器人、元宇宙、6G、量子信息、

摇橹船科技消息称:公司已成功研发出Micro LED晶圆检测设备,可帮助显示面板企业解决巨量芯片精准转移难、坏点检测难这两大导致Micro LED 技术难以大规模商用的“痛点”。本月,该设备将在国内某显示面板企业生产线上进行应用测试。

包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称中科重仪）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延

VCSEL是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。VCSEL的优异性能已引起广泛关注，成为国际上研究的热点。

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车

近日，中国电科54所成功研发PCIe（一种高速串行计算机扩展总线标准）转SRIO（一种串行高速互连协议）桥接芯片。该芯片采用全正向

9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢

走进光子信息与能源材料研究中心（以下简称研究中心），一台台先进增材制造的中小试设备正高效运行，而在不久的将来该研究中心先

9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第

该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

近日，欧普照明与武汉大学联合研发的「新一代全光谱技术」取得了重要突破，为照明行业带来了光品质的技术与标准提升及崭新的用户

为培育和推动盘锦市第三代半导体产业发展新动能，盘锦高新技术产业开发区管理委员会与中关村半导体照明工程研发及产业联盟拟定于

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据36氪报道，近日，华封科技完成了数千万美元战略融资，由智路资本领投。本轮融资资金将主要用于生产研发和市场扩张。华封科技于

第三届紫外LED国际会议暨LED产业发展推进大会(中国长治)将于9月5-7日召开。本届论坛由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发