第三代半导体产业数字化公共服务平台

国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

导体项目、安力科技第三代半导体及大硅片衬底研磨液项目、全芯微电子半导体高端设备研发制造基地项目、辽宁恩微芯片封装测试项目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化铝项目，日本航空电子高端电子元器件项目、露笑科技第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目和大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目迎来新进展。

盛美上海于临港举行“盛美半导体设备研发与制造中心试生产仪式” 。

从中国科学院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所狄增峰研究员团队研发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料人造蓝宝石。

据报道，7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化

7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业北京芯合半导体有限公司（以下简称芯合半导体）发布自主研发生产

中国科学院半导体研究所郑婉华院士团队联合北京大学彭超杰青团队等，基于光子晶体面发射激光器（Photonic Crystal Surface Emitting Laser, PCSEL）实现了电注入有源激光空间光束扫描。

6 月 18日，瑞萨电子与南京芯干线科技在举行战略合作签约仪式，宣布建立数字电源联合实验室，共同打造高效率、高功率密度的数字

合盛硅业董事&合盛新材料总经理浩瀚表示,合盛新材从2018年开始正式进军碳化硅产业,目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及芯片外延等全产业链核心工艺技术,突破关键材料(多孔石墨、涂层材料)和装备的技术壁垒,6英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证,8英寸衬底研发进展顺利。

中国光谷5月20日消息显示，日前，武汉普赛斯电子股份有限公司（简称普赛斯电子）暨全资子公司武汉普赛斯仪表有限公司（简称普赛

西安8英寸高性能特色工艺半导体生产线项目，晶旭半导体二期项目、深圳腾彩半导体产链研发制造项目、华虹制造（无锡）项目等半导体相关项目有新进展

4月16日，国家重点研发计划单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究项目启动暨实施方案论证会在济南召开。山东大学副校长芦延

3月4日，北京顺义消息显示，顺义区21个在建市区重点产业项目全部复工复产，其中包括泰科天润建设公司总部、研发中心及8英寸SiC功

据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代

中科潞安作为深紫外一体化消毒杀菌解决方案供应商，一直致力于研发深紫外核心技术并开发深紫外中高端产品。

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

据财联社消息，工信部部长金壮龙1月9日表示，将积极培育新兴产业和未来产业，包括人工智能、人形机器人、元宇宙、6G、量子信息、

摇橹船科技消息称:公司已成功研发出Micro LED晶圆检测设备,可帮助显示面板企业解决巨量芯片精准转移难、坏点检测难这两大导致Micro LED 技术难以大规模商用的“痛点”。本月,该设备将在国内某显示面板企业生产线上进行应用测试。

包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。