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天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申

国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用的专利，

国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司取得一项名为模式调控

近日，厦门大学与厦门市未来显示技术研究院的研究团队在钙钛矿窄带光电探测器研究领域取得重要突破，在期刊《LaserPhotonics Rev

天眼查显示，安徽中科新源半导体科技有限公司一种半导体芯片升降温用微射流换热装置专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请

国家知识产权局信息显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司申请一项名为一种降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的专利

中国自然资源部10日公布中国新发现的高纯石英矿相关情况。自然资源部当日发布《新发现矿种公告》。公告显示，新发现矿种为高纯石

SEMI（国际半导体产业协会）最新发布的报告数据显示，全球半导体制造设备销售额将从2023年的1063亿美元增长10%，到2024年将达到1

国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法的专利，公开号 CN 1197

在AR/VR设备加速向视网膜级显示进军的当下，Micro-LED技术悬崖悄然显现：外延材料与CMOS驱动的不匹配、微缩化带来的效率骤降、像

2025年4月23-25日，第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)将在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。平行论坛7 精彩议题抢先看

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为半导体结构及其形成方法的专利，公开号CN 119767774

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中，12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点，不仅展示了天岳先进的技术实力，也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。

国家知识产权局信息显示，苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的

2025年3月20日，上海御微半导体有限公司金桥研发制造基地举行启动仪式。御微半导体官方消息显示，在过去的六年里，产品订单屡创

贵州集隽半导体产业园模组厂投产暨光电显示产业链重点企业签约仪式在贵阳综保区举行。