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进入21世纪以来,以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。

近日,清纯半导体正式推出1200V/3.5 mΩ的SiC MOSFET芯片(型号:SG2MA35120B)及对应SOT227封装器件(型号:S1P04R120SSE

2023年,外部形势复杂多变、内部经济复苏进程缓慢曲折。在此背景下,我国半导体照明行业整体需求仍然疲软,库存高位、产能利用率

据晶能光电官微消息,近日,江西省市场监督管理局批复同意由晶能光电牵头筹建江西省技术标准创新基地(硅衬底半导体照明),这是

存储行业,会是2024年半导体全行业价值飙升的关键。

据云塔科技消息,1月15日,中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代

证监会批复同意灿芯半导体(上海)股份有限公司首次公开发行股票的注册申请。

中国科学院宁波材料技术与工程研究所(以下简称宁波材料所)张文瑞研究员、郭炜研究员长期招聘博士后,招聘方向为氧化物、氮化物

2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会(简称“JFSC&CSE”)将于4月9-11日在武汉光谷科技会展中心盛大启幕。

据丹阳延陵镇官微消息:1月18日,延陵镇党委书记张金伟会见了浙江博蓝特半导体科技股份有限公司徐良董事长以及松树基金投资经理

2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为构件、晶体管器件、功率器件及制造构件的方法,公开号C

15日上午,探寻智慧之芯共创未来之梦诚盛科技麒思大功率器件项目发布会暨功率半导体高峰论坛举行。

今日,意法半导体在官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,

通过一种低成本、易操作的热退火方法,实现了对PECVD法生长的Ga2O3薄膜的表面调控,并基于能带调控理论,探索了这种热重组工程对基于Ga2O3的MSM型电光探测器性能的具体影响,提出了可实现的表面改性方法,涉及宽带隙半导体Ga2O3的表面物理与光电物理的融合。

半导体产业网获悉:1月17日,高性能半导体材料科研成果转化框架协议签约仪式在青岛天安科创城举行。仪式上,青岛大商电子有限公

位于科技大厦西展厅,700多平方米的河北科技创新展示服务大厅中,展示着我省百余件最新科技成果,这些展品创新点在哪儿、应用场

人工视觉芯片是一种感算一体化的图像传感器,能够单芯片完成图像获取和原位实时智能图像处理等任务,是一种典型的边端型智能感知

对于半导体行业而言,最坏的时刻似乎已经过去。

国家第三代半导体技术创新中心(南京)牵头7家高等院校、科研院所和龙头企业共同组建的江苏省碳化硅电力电子技术创新联合体成功入选

SEMI(国际半导体产业协会)在其最新的《世界晶圆厂预测》报告中表示,全球半导体产业月产能将在2023年增长5.5%,达到2960万片

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