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据媒体报道,近日,三安光电董事、副总经理林志东在受访时表示,三安光电正在加快发展第三代化合物半导体产业,今年三安光电砷化

江苏路芯半导体技术有限公司掩膜版生产项目迎来重要进展——首批工艺设备机台成功搬入,标志着项目迈入新的阶段。

中国科学院上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子研究所超宽禁带半导体研究团队合作,在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。

观胜半导体科技(合肥)有限公司动土仪式在合肥隆重举行

中南大学汪炼成联合中科院半导体研究所、湖南大学团队等近年一直致力原位集成超表面光场调控Micro-LED器件研究。

上海应用技术大学材料科学与工程学院房永征、刘玉峰教授团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院(MIT)等国内外单位合作,在二维半导体材料异质外延方面取得重要进展。

顺义科创集团投资建设的第三代等先进半导体产业标准化厂房项目(二期)主体结构顺利封顶。

据顺义科创官微披露消息,近日,瑞能微恩半导体(北京)有限公司厂房项目已完成全部施工内容,扩建工程已通过竣工验收。据悉,瑞

2025年4月23-25日,九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航!

江苏超芯星半导体有限公司近日完成了新厂房的整体搬迁

株洲中车时代半导体有限公司发生工商变更,新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司

中科飞测拟投资14.81亿元用于高端半导体项目

赛微电子(SZ 300456)12月6日午间发布公告,为避免相关信息对广大投资者造成误导,现予以澄清说明。

2025年4月23-25日,九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航,现诚挚邀请全球化合物半导体技术领域的专家学者、行业领航者及创新先锋莅临盛会,发表精彩演讲,共享智慧火花,携手点亮化合物半导体行业的辉煌未来。

期间,“超宽禁带半导体技术 I”分会上,深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告,讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题,分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作,通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术,制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

“第三代半导体标准与检测研讨会”上,嘉宾们齐聚共同探讨第三代半导体标准与检测相关的最新进展。

期间,“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上,中微半导体设备(上海)股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告,分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

荷兰半导体企业恩智浦 NXP 与台湾地区特殊制程代工厂商世界先进 VIS 双方合资(股权比例为 4:6)公司 VSMC 今日在新加坡淡滨尼举行其首座晶圆厂的动土典礼。

一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才,加上向中国公司泄漏20纳米DRAM内存芯片技术,遭逮捕并移送检方。

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