12月6日,博世与苏州工业园区签署扩大产业合作协议。博世自1999年布局苏州以来,持续加大投资力度。今年3月,博世投资10亿美元在
晶体管是三端电子器件,其发展的主要动力是由摩尔定律主宰的微缩技术:通过使晶体管尺寸越来越小,越来越多的晶体管可以被制造到
材料的更替是现代科技进步的根本推动力。作为第三代半导体材料,立方氮化硼(c-BN)具有仅次于金刚石的硬度,在高温下良好的化学
半导体材料是信息技术产业的基石,氧化镓(Ga2O3)是潜力新星超宽带隙材料,Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也
未来显示产品形态多样,功能要求严格,具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部
在现代化科技和能源管理理念支持下建立的全新电力系统,包括智能电网、新能源发电技术、电动车充电技术等方面的创新。与传统电力
碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体具有诸多优势,碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性,使其在家用电器、电机节
随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展,紫外LED的创新应用前景充满潜力,消毒和灭菌、固态照明、紫外光固化、生命科学和医学
期待已久的小米汽车终于来了,在最新一期工信部的申报信息中,我们看到了小米汽车首款车型的申报信息,从申报图来看,新车设计风
11月9日消息,技术密集型的华为又带来了全新的震撼新品,全新一代DriveONE 800V高压碳化硅黄金动力平台。其首发了行业内量产最高
日前,半导体设备制造企业特思迪完成B轮融资,本轮由临芯投资领投,北京市高精尖基金、尚颀资本、中金启辰、优山资本、芯微投资
9月6日,第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心(南京)一期项目竣工投产。国家第
半导体照明网消息:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
近日,无锡市人民政府印发《关于加快建设具有国际影响力的集成电路地标产业的若干政策》的通知。本政策自印发之日起实施,有效期
据悉,近日,瑞可达在接受机构调研时表示,随着更多的公司宣布进入新能源汽车连接器领域,加上现有的竞争对手,行业的竞争压力在
据悉,日前,成都市经济和信息化局和成都市新经济发展委员会印发了《成都市加快大模型创新应用推进人工智能产业高质量发展的若干
中国第三代半导体功率器件领先品牌派恩杰半导体正式宣布完成新一轮战略融资,投资方为东风汽车旗下直投平台东风资管。
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量,其在光电子,射频
随着电力电子应用领域的不断扩大和需求的增长,绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)作为功率电子器件的核心之一,是能源变换与传输的
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性,已成为下一代高密度电力系统的主流器件之
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