美国国家工程院院士Umesh K. MISHRA教授:GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局
2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以“创芯聚智 共享生态”为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与,共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙华区人民政府主办,国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持,深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。 第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。谁掌握着技术的高地,谁就拥有更多的话语权。开幕式上,美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh K. MISHRA做了题为“GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局”的主题报告,分享了GaN技术的进展,及射频应用格局的变化。
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