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美国国家工程院院士Umesh K. MISHRA教授：GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局

发表于：2021-04-29 编辑：limit
2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以“创芯聚智 共享生态”为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。 第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。开幕式上，美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm董事长Umesh K. MISHRA做了题为“GaN技术带来突破性能量转化效率及射频应用新格局”的主题报告，分享了GaN技术的进展，及射频应用格局的变化。

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