2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过2项SiC MOSFET测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下：
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 050—202X 面向充电模组的SiC MOSFET动态高温工作寿命试验方法基于动态高温工作寿命试验（DHTOL），提出一种专门面向充电模组应用场景的可靠性评价方法，主要考察SiC MOSFET在硬开关应力下的动态导通电阻变化，评价和保障SiC MOSFET在充电模组应用环境下的效率和寿命。
T/CASAS 051—202X SiC MOSFET稳态高温工作寿命评价方法主要基于稳态高温工作寿命试验，结合结温监测、热阻测试、电参数测试等，形成一套适用于SiC MOSFET的稳态工作寿命评价方法，为器件、模块在各种复杂应用场景下的实际工作寿命评价提供基础性参考。
（来源：第三代半导体产业技术创新战略联盟）