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海信家电申请半导体装置专利,降低半导体装置的生产成本

 据国家知识产权局公告,海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“,公开号CN117650166A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;沟槽部,多个沟槽部在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组和假栅沟槽组,栅极沟槽组和假栅沟槽组在第二方向上交替设置;第一导电类型的场截止层;第二导电类型的集电极层,集电极层设置于场截止层的下表面,集电极层内设置有第一导电类型的第一发射极层,第一发射极层与假栅沟槽组上下对应。由此,通过使第一发射极层与假栅沟槽组上下对应,这样可以充分利用假栅区域,无需单独设置第二半导体器件类型区域,使假栅区域也可以作为第二半导体器件类型区域使用,减小半导体装置的面积,提高半导体装置的工作性能,降低半导体装置的生产成本。

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