据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置“，公开号CN117650166A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；沟槽部，多个沟槽部在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组和假栅沟槽组，栅极沟槽组和假栅沟槽组在第二方向上交替设置；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层，集电极层设置于场截止层的下表面，集电极层内设置有第一导电类型的第一发射极层，第一发射极层与假栅沟槽组上下对应。由此，通过使第一发射极层与假栅沟槽组上下对应，这样可以充分利用假栅区域，无需单独设置第二半导体器件类型区域，使假栅区域也可以作为第二半导体器件类型区域使用，减小半导体装置的面积，提高半导体装置的工作性能，降低半导体装置的生产成本。