自半导体诞生以来，半导体材料便不断升级。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。碳化硅是最接近大规模商业化的第三代半导体材料,SiC器件正广泛应用于电力电子领域中，作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。国内外纷纷投入大量的人力物力积极发展布局，各地碳化硅项目渐次落，“枝繁叶茂”的同时，也给业界带来如何避免过度分散以及更好规模化发展的思考。

2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”于长沙开幕。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织。

开幕大会上，泰科天润董事长陈彤带来大会报告，围绕当前碳化硅项目到底要建多大线的问题，分析碳化硅行业规模化发展的谜题与难题。

功率半导体器件是进行电能（功率）处理的核心器件，通过对弱电的运用和驱动，实现对强电的控制和运行，是各种电力电源装置的CPU，是决定后端性能的制高点。功率半导体是从最底层材料开始的一次覆盖全链条的产业技术革新。半导体制造业具有超大规模制造，重资产、周期长，运营成本高、风险大、协同要求极强，高度专业、集中、企业资产残值低等基本特点，竞争挑战高。

当前国内不少碳化硅项目具有投资规模大，布局产能规模大，新进企业多，区域分布散等特点，不过，布局投资的规模不等于实际具备的生产能力，需要更重视有效产能。当前，国产碳化硅发展的瓶颈问题，主要涉及供给侧问题（生产工艺、有效产能）等，同时也存在产业链生产工艺基础薄弱，设备交付周期长、供不应求，人才培养周期长，衬底材料有效供应不足的考验。碳化硅规模化发展需要低成本、高质量以及大批量的供货能力。

陈彤表示，碳化硅产业总体是个慢而艰熬的产业，但是正是因为慢才有国产的机会。国产化的有效产出突破百万片/年，单体项目突破10万片/年，需要相当一段时间的突破和积累。国产化碳化硅晶圆制造项目布局，在月产1万片的布局为稳妥，做好长期技术积累的准备。碳化硅国产化发展最大的优势是中国的内卷能力，与硅器件的PK是现实要求。”用够拼的行动和够忍的耐力，做到硅器件2倍左右的价钱，国产化才能真正突破百万片大关。尽快把不成熟，做成熟，跟上国外发展的脚步就是胜利。“

嘉宾简介

陈彤，泰科天润董事长，中关村高端领军人才，科技部第三代半导体专家组成员。深耕碳化硅领域数余载，带领团队在第三代半导体碳化硅（SiC）功率器件研发、生产、量产及产品应用方面取得显著成果。陈彤博士带领团队建成国内第一条碳化硅（SiC）功率器件研发和量产生产线，并成功实现碳化硅（SiC）公司针对新能源、电动汽车、通讯信息产业，提供各类型碳化硅核心器件、及多套行业解决方案。

陈彤博士率领的团队2013年开始全面投入碳化硅产业，依托当时国内唯一的量产型高温离子注机等成套设备平台，以及产业经验丰富的技术团队，通过多年的市场化铸造，掌握了碳化硅功率器件的设计、关键工艺和制造品控全套技术，公司荣获半导体协会创新产品、中国芯等系列大奖荣誉，得到半导体行业内的一致首肯。公司已建设成为一个拥有自主SBD、MOSFET等SiC器件核心芯片技术、满足国内外用户的高端需求，引领我国SiC器件制造的研发和生产企业。