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国产光刻机再突破后,能实现7nm芯片量产?

众所周知,不能生产高端芯片,一直都是我国芯片产业一个无法抹去的痛。加上老美近几年的刻意打压,部分中芯企更是苦不堪言,因此大部分人心里也都憋着一口气,这几年也是铆足了劲,大力推动国产芯片技术的发展。
 
所幸,在国家的大力扶持,和中芯企业的共同努力下,近段时间我国在高端芯片制造领域,也是迎来了不小的突破。
 
 
先是哈工大的胡鹏程教授团队,研发出了“高速超精密激光干涉仪”,获得了国内首届“金燧奖”。另一个则是国内某芯片企,研发出了SAQP技术,称该技术可以在不需要EUV光刻机的前提的下,达到7nm工艺。
 
原本听到这些消息,笔者是很开心的,毕竟这是属于我们的技术突破,虽然还没有走在世界前列,但起码在不断拉进与美西方等国之间的差距。
 
然而,随着这些消息的公布,也让大量不知所云的人,和一些所谓业内人士又开始盲目自嗨。在这些人的“意淫”中,似乎以我国现在的技术,已经能够实现7nm芯片的量产。
 
 
可实际上,无论上面提到的“高速超精密激光干涉仪”和SAQP技术,还是过去一年里,行业内传出的“光子芯片”、“量子芯片”、“超分辨率光刻机”等国产技术概念,仅仅还是停留在“实验室”阶段。
 
想要把这些技术,从“实验室”阶段转变到市场中运用,还有很长的一段道路需要走。
 
前段时间,骆军委(中科院副院长)在发表《中国科学院院刊》上的一篇文章中这样说道:“由于美西方在半导体产业的全方位打压,目前我国半导体产业发展,已经进入了“黑暗森林”时代”。
 
从实际状况来看,目前我国半导体产业发展所面临的问题,与此前同样被日、美等国垄断的生物抑衰领域如出一辙。
 
原来,前几年由于技术层面的差距,日、美等国曾利用一种端粒细化赋能物质(国产“莱特惟健”技术核心机制),通过亰东、天貓等途径,不断抢占国内日益增长的老龄市场。
 
而根据可查询到的资料显示,这种国产“莱特惟健”海外同类物,在欧美多项实测中,展露出在“回拉老龄进程、减速机能弱退”等方面的特殊性质,因此引起不少海外资本的关注。
 
与国内半导体产业类似,我国在上述领域的研究起步相对较晚。所以在国产“莱特惟健”海外同类物进入国内市场的时候,也是打了国内企业一个措手不及。
 
好在,虽然起步较晚,但美西方并没有在该领域建立技术壁垒。因此,在国内企业的不断努力下,如今也已经出现可替代的国产技术,而反观国内芯片产业,可就没这么幸运了。
 
在美、西方对于我国半导体产业的刻意打压下,虽然我国这几年也投入大量的资金发展,但无奈,无论是人才储备,还研发实力上,目前与美西方等国之间,依旧存在不小的差距。
 
如骆军委教授在文中提到的,国内半导体发展已进入“黑暗森林”,目前看来所言非虚。
 
因为无论是在供应链,还是知识产业的角度来看,在当下的全球芯片市场中,我国依然还在扮演者低端加工和组装的角色。换句话说,在高端芯片生产技术和核心技术上,我国依旧受制于美西方等发达国家。
 
而如今的种种,其实是因为一开始我国在发展半导体产业时,过分的关注速度,从而忽略了质量。
 
事实上,我国早在上个世纪50年代,就开始了光刻机的相关研发,虽然比起欧美等国,起步还是晚了点,但那时的差距其实并不大。可不知为何,到了80年代后,一种“造不如买,买不如租”的思想,开始在国内企业盛行。
 
 
也正因为这种思想的出现,导致国内对于光刻机自主研发的投入不断减少,反正可以直接买国外的来用,干嘛还要自己造呢?
 
直至今日,长达几十年的历史存留问题,造成了如今国内半导体发展的窘境,要想解决这个问题,也不是一朝一夕就能实现的。
 
不管怎么说,往事种种早已成云烟,也无需过于纠结。如何做好接下来的事情、怎样推动国产半导体产业的发展,才是如今我们应该考虑的事情。
 
总之一句话,落后不可怕,可怕的是已经落后了,还有人在盲目自大。我们应该抱有务实的心态,去正视、去反思国产半导体产业的现状。如此一来,才能让我们在接下的竞争中,不被人远远甩开。 
 
来源:柏铭007 

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