开年第三代半导体盛会，凝心聚力再启新征程！—— 第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。其中，碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术分会作为重要的技术分论坛，目前已经确认的报告嘉宾日程正式出炉！

材料水平直接决定了器件的性能。以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用。同时，碳化硅外延工艺是非常关键的工艺，器件在外延上实现，外延的质量对器件的性能影响非常大，外延质量受晶体和衬底加工的影响，碳化硅外延是产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。

作为IFWS重要的技术分论坛，碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术分会得到了宁波恒普真空科技股份有限公司，励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司，广州南砂晶圆半导体技术有限公司，中国电子科技集团公司第四十八研究所，德国爱思强股份有限公司，湖北九峰山实验室,哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司协办支持，由山东大学新一代半导体材料研究院院长徐现刚教授，中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任陈小龙研究员，中科院半导体研究所孙国胜研究员，瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理冯淦博士等业界知名专家担任程序委员会召集人。

届时，特邀徐现刚教授和陈小龙研究员共同主持，由浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授皮孝东，南砂晶圆副总经理、山东大学教授陈秀芳，南京百识电子科技有限公司首席执行官宣融，德国爱思强股份有限公司中国区副总经理方子文，励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司研究员贾维炜，中国科学院物理研究所副研究员李辉，中国电子科技集团公司第四十六研究所、首席专家王英民，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽，厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院副教授尹君，北京工业大学副教授陈沛等科研院校专家学者与企业专家代表共同参与，将围绕碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术分享前沿研究。

目前最新日程如下，欢迎参会交流合作：

 

技术分论坛：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术 Technical Sub-Forum: SiC Substrate Material Growth, Processing and Epitaxy Technologies
时间：2023年2月9日08:30-12:00 地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9th，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6
协办支持/Co-organizer: 宁波恒普真空科技股份有限公司/NINGBO HIPER VACUUM TECHNOLOGY CO.,LTD 励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 广州南砂晶圆半导体技术有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd 中国电子科技集团公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 德国爱思强股份有限公司/ AIXTRON 湖北九峰山实验室/JFS Laboratory 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司/Harbin KY Semiconductor Inc
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	徐现刚 / XU Xiangang 山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 陈小龙 / CHEN Xiaolong 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员 Professor and Director of Research & Development Center for Functional Crystals at the Institute of Physics, CAS
08:30-08:50	4H碳化硅单晶的制备和加工技术进展 Progress of the growth and processing of monocrystalline 4H silicon carbide 皮孝东——浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授 PI Xiaodong——Deputy Dean & Porfessor of Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang Univerisity
08:50-09:10	大尺寸 Diameter Enlargement and Substrate Preparation of Large Size 4H SiC Single Crystals 陈秀芳——南砂晶圆总经理助理，山东大学教授 CHEN Xiufang——Assistant General Managerof Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd, Professor of Shandong University
09:10-09:30	碳化硅外延与晶圆制造技术 Silicon carbide epitaxy and wafer manufacturing technology 宣融——南京百识电子科技有限公司首席执行官 XUAN Rong——CEO of  Nanjing Baizhi Electronic Technology Co., Ltd
09:30-09:50	碳化硅及其他化合物半导体外延大规模量产方案 High Volume Manufacturing of Sic and Other Compound Semiconductor Epitaxy 方子文——德国爱思强股份有限公司中国区副总经理 FANG Ziwen——Deputy General Manage，China AIXTRON SE
09:50-10:10	全球科研信息赋能第三代半导体材料技术创新与发展——基础研究及科研策略分析Global scientific research information empowers innovation and development of third-generation semiconductor materials technology - analysis of basic research and scientific research strategies 贾维炜——励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司研究员 JIA Weiwei——Researcher of Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd.
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	液相法碳化硅单晶生长研究进展 Recent progress on the growth of SiC single crystals from high temperature solutions 李 辉——中国科学院物理研究所副研究员 LI Hui——Associate Professor of Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
10:45-11:05	碳化硅单晶技术进展及挑战 Progress and challenge of silicon carbide single crystal technology 王英民——中国电子科技集团公司第四十六研究所，首席专家 WANG Yingmin——Chief Expert of CETC 46
11:05-11:25	电阻炉8英寸碳化硅单晶制备技术探索 Research on the preparation technology of 8-inch SiC single crystal in resistance furnace 赵丽丽  哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 ZHAO Lili   President of Harbin KY Semiconductor Inc
11:25-11:45	200 mm碳化硅晶体生长仿真：基于气相导流板调控的传质过程优化 Optimized mass transport for 200-mm silicon carbide bulk growth by a designed gas deflector 尹君——厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen Univsersity
11:45-12:00	超快激光辅助加工碳化硅衬底晶圆的研究 The study of ultra-fast laser assisted processing of SiC substrate wafer 陈沛——北京工业大学副教授 CHEN Pei——Associate Professor of Beijing University of Technology

 备注：日程或有微调，最终以现场为准。

【部分嘉宾简介】

徐现刚

山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

徐现刚，山东大学教授、博士生导师，教育部长江计划特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者，泰山学者特聘专家，科技部973国家重点基础研发计划首席科学家，核心基础元器件重大专项负责人。国家863计划半导体照明工程重大项目总体专家组专家，享受国务院政府特殊津贴专家，获得山东省科技进步一等奖，国防科学技术进步一等奖，山东省技术发明一等奖，以及第十届“山东省优秀科技工作者”荣誉称号。

现任山东大学新一代半导体材料研究院主任。国务院学位委员会委员、中国晶体学会理事、弱光非线性光子学教育部重点实验室学术委员会委员、中国光学光电子行业协会光电器件分会特聘专家、中国青年科技工作者协会会员。在国内外发表论文400余篇，被引4000余次。国家授权发明专利100余项。

陈小龙

中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员

陈小龙，博士，德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。现任中科院物理研究所研究员，博士生导师，1999年获国家杰出青年科学基金，2003年入选中国科学院“百人计划”，2004年至今兼任中国晶体学会副理事长和国际衍射数据中心（ICDD）中国区主席，2007年获ICDD Fellow称号，2009年成为“新世纪百千万人才工程”国家级人选，2009年获第五届“发明创业奖”特等奖，作为负责人带领宽禁带半导体材料研究与应用团队获2010年度“中国科学院先进集体”荣誉称号。

长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作，先后主持国家863、973和国家科技支撑计划等23个科研项目，取得了多项研究成果。系统开展了碳化硅晶体生长的基础和应用开发研究工作，解决了多项关键科学问题和系列关键技术，生长出2-4英寸高质量晶体；攻克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题，在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化，碳化硅系列晶片批量供应国内用户，并出口至欧美和日本等发达国家，打破了国外的长期垄断，为发展我国宽禁带半导体产业奠定了基础。发现了一系列新的功能晶体材料，包括新超导体K0.8Fe2Se2和具有潜在应用价值的闪烁晶体YBa3B9O18等，精确测定了新化合物的晶体结构，其中120个化合物的衍射数据被ICDD收录为标准衍射数据。在国际有影响的学术刊物上发表和合作发表论文360余篇，引用8000余次，申请国家发明专利50项（已授权40项），起草国家标准3项（已实施）。在国际学术期刊上发表论文301篇，共被引用2549次（h因子23）。自1999年来指导博士研究生58余名，其中40人已获博士学位。招收博士后4人，3人出站。

孙国胜

中国科学院半导体研究所研究员

东莞市天域半导体科技有限公司副总经理

孙国胜，中国科学院半导体研究所研究员，东莞市天域半导体科技有限公司副总经理。1994年毕业于中国科学院半导体研究所并获理学博士学位，同年留所从事半导体致冷技术的开发工作。1997-1998年在美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要从事第三代宽带隙SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、特性表征、以及SiC功率半导体器件研制工作。先后参加和主持国家“863”、国家重大基础研究计划项目（973项目）、国家自然科学基金委、中国科学院重点和北京市科委等项目多项。近来，作为广东省创新科研团队引进项目的主要成员，与广东省企业合作承担了广东省战略性新型产业项目和东莞市重大方向性项目，开展SiC外延晶片产业化以及SiC功率半导体器件制造技术研发工作。

多年还从事过非晶硅半导体材料与器件技术和半导体致冷技术的研究与开发工作，曾获得中国科学院科学技术成果奖（非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题研究）、陕西省教育委员会科学技术进步奖（非晶碳化硅的电致发光特性及大面积发光二极管）和中国科学院留学回国择优支持项目的资助。从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文六十余篇，获得国家发明和实用新型专利十余项。主要研究领域或方向：第三代宽带隙SiC半导体材料、物理与器件及产业化研究。

冯  淦

瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理

冯淦，博士，教授级高级工程师。2003年毕业于中科院半导体所，获材料物理与化学专业博士学位，后就职于德国、日本多家科研机构，一直从事禁带半导体外延生长及其大功率器件的研制。2011年9月回国加入瀚天天成电子科技（厦门）有限公司，推动碳化硅半导体外延晶片的国产化，现为瀚天天成公司总经理。发表SCI收录论文40多篇，申请专利20多项，主持碳化硅外延晶片团体标准二项，多次受邀在国内外学术会议上做特邀报告。

在其主导下，瀚天天成研发团队成功攻克多项碳化硅外延生长关键技术，成功完成600V、1200V碳化硅外延晶片的研制和产业化，产品质量达到世界领先水平。冯淦博士还主持和参与了国家发改委2012年“电子信息产业振兴和技术改造项目”、国家科技部重大科技专项（02专项）“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”、国家科技部863项目“基于SiC器件的并网光伏逆变器研制”和“大尺寸SiC材料与器件制造设备与工艺技术研究”、国家科技部重点研发计划“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”等多项国家级项目。

皮孝东

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授

皮孝东,浙江大学半导体材料研究所所长，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授。浙江大学硅材料国家重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院双聘教授，博士生导师。2004年在英国巴斯大学获得博士学位，并受颁新颖研究奖章。随后在加拿大麦克马斯特大学和美国明尼苏达大学双城分校从事研究工作。于2008年到浙江大学工作，在2012年由副教授晋升为教授。是中国真空学会理事和中国真空学会电子材料与器件专业委员会副主任委员（2019-2024）、美国物理联合会学术期刊Applied Physics Letters的编辑顾问委员会成员（2017-2022）、英国物理学会学术期刊Nanotechnology的顾问委员会成员（2019-2021）、《半导体学报》青年编委（2021-2023）、国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”项目顾问专家（2019-2023）。

主要从事半导体材料和器件研究。在硅基异质结构及其光电器件如发光二极管、光电探测器和光电神经形态器件研究方面取得了系列进展。近期针对宽禁带半导体发展的迫切需求，启动了以半导体碳化硅为代表的宽禁带半导体的制备、加工、外延和应用研究。曾在Physical Review Letters、Advanced Materials、Materials Science & Engineering R、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy和IEDM等学术期刊和会议上发表了系列研究论文。

陈秀芳

南砂晶圆总经理助理、山东大学教授

陈秀芳，山东大学教授，广州南砂晶圆半导体技术有限公司总经理助理。主要从事宽带隙碳化硅等半导体材料及相关器件、超硬材料加工及纳米材料的研究。在该领域中，取得系列重要应用型科研成果，先后主持承担了国家科技重大专项、973计划、预研项目、国家重点研发计划、科技部“863”计划、山东省自主创新重大专项等20余项国家及省部级项目。在国内外学术刊物上发表论文40余篇，申请和获得授权发明专利20余项。获得“山东省技术发明一等奖”、“国家自然科学基金优秀青年基金”、“山东省自然科学杰出青年基金”等。

李  辉

中科院物理所副研究员

李辉，中科院物理所副研究员。曾获中科院青年促进会会员、中科院卢嘉锡青年人才奖、英国皇家学会牛顿高级研究学者、北京市科学技术进步一等奖等荣誉称号。承担国家重点研发计划2项（课题负责人和单位负责人）、北京市科技计划（单位负责人）、英国皇家学会高级牛顿研究学者项目（负责人）、中科院青年促进会项目、国家自然基金面上、青年基金等10余项，做为项目骨干参与中国科学院“弘光专项”、科技部863课题等8项。在Chemical Reviews、Nature Energy、Nature Chemistry、JACS、Journal of Crystal Growth等期刊上发表SCI论文90余篇，获授权专利7项，译著1部。

王英民

中国电子科技集团公司第四十六研究所，首席专家

王英民博士，研究员，中国电科集团首席专家，宽禁带半导体材料山西省重点实验室主任，CASA第三代半导体卓越青年，山西省学术技术带头人，“三晋英才”领军人才，山西省新兴产业领军人才。2009年毕业于山东大学晶体材料国家重点实验室，获博士学位。长期从事碳化硅单晶生长及缺陷表征工作，具有近20年碳化硅单晶材料研制经验。主持并参加了国家自然科学基金、“863”计划以及山西省重大专项等20余项国家，省部级课题研究。获山西省、集团公司、国防系统等省部级科技进步奖5项。在国内外期刊和重要国际会议上发表论文40余篇。申请国家专利18项，授权9项。

赵丽丽

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长

哈尔滨工业大学教授

赵丽丽博士，2006年在德国获得德国马克思普朗克物理所 材料学博士学位，2012年哈尔滨工业大学“百人计划”高层次人才引入，投身家乡教育事业，在哈工大化工与化学学院担任教授，为国家振兴，民族富强培养栋梁之才。赵丽丽博士长期坚持在科研一线、潜心研究新材料与高端装备，并于2018年受邀担任深圳第三代半导体研究院晶体材料所所长。2018年响应“大众创业、万众创新”的政策，赵丽丽博士持科技成果创办哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（简称：科友半导体）担任董事长。2006年-2007年，在瑞士联邦工业大学苏黎世分校从事博士后研究工作；2007年-2010年，在挪威麦拓卡夫特（metaLLKRAFT）研发部，担任资深研究员；2011年-2013年，在美国可再生能源公司，担任中国区总经理兼技术总监。2015年至今，在创业奋斗的过程中，也获得国家、省、市的各项殊荣。入选国家中组部“创新创业人才”，入选国家科技部“万人计划”科技创新领军人才；黑龙江省杰出青年科学基金获得者，获黑龙江省科学技术一、二等奖各一项。黑龙江省巾帼建功标兵、黑龙江省十大杰出青年创业奖、黑龙江省归国留学生人员报国奖；获得哈尔滨市科技创业奖、哈尔滨市有突出贡献专家、哈尔滨高层次创新人才、哈尔滨市有突出贡献中青年专家、三八红旗手和省人才代表等荣誉称号。

方子文

德国爱思强股份有限公司中国区副总经理

方子文，德国爱思强股份有限公司中国区副总经理。方子文博士毕业于英国利物浦大学工程学院，主修先进半导体沉积技术，现任AIXTRON中国区市场营销和工艺高级部门经理。他在AIXTRON曾担任工艺科学家，实验室部门经理等职，精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。

宣  融

南京百识电子科技有限公司首席执行官

宣融，南京百识电子科技有限公司首席执行官，台湾交通大学博士，主要研究方向为第三代半导体，发表著作20篇，半导体领域专利发明86件。主要经历如下：研究所毕业后进入台湾工研院电光所服务，在技术研发与产业服务方面皆有优良表现。期间取得交大电子物理博士学位。博士论文为“以硅基板开发常关型氮化镓高电子移动率晶体管”。曾先后供职于台湾汉磊科技和嘉晶电子，组建第三代半导体技术团队，领导并完成多项三代半功率器件新产品的研发和销售任务，多年来率领技术团队在氮化镓和碳化硅功率器件的量产良率提升方面取得卓越成绩。2019年创立南京百识电子，担任南京百识董事、总经理和创始人。建立专业第三代半导体外延片代工厂，目前4/6寸SiC外延片，以及6/8寸GaN on Si外延片生产线均已完成建置，并在2022年顺利实现量产；在碳化硅和氮化镓外延片的生产上，宣融所领导的团队具备10年以上超过5万片量产经验。曾获得台湾工研院部服务推广奖银牌；工研院电光所杰出研究所金牌；新竹县社会优秀青年；南京浦口区中青年优秀人才；江苏省双创人才，中国科学技术大学硕士研究生实践导师。

尹  君

厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院副教授

尹君，工学博士，2014年6月毕业于华中科技大学光学与电子信息学院/武汉光电国家实验室；2014年9月加入厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院，任研究型助理教授/师资博士后；2017年8月任副教授职务。主要研究方向为能源转换相关的光电子材料与相关器件，涉及微米纳米结构制备及在半导体材料光电行为操控上的应用、新型生物及光电传感器制备、高效全固态钙钛矿太阳能电池研发等，近年来已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊发表高水平论文多篇。目前已主持国家自然科学基金青年基金项目、中国博士后科学基金面上项目，福建省自然科学基金面上项目，江西省自然科学基金重点项目等多项科研课题，并参与国家自然科学基金面上项目、国家重点研发计划项目、福建省科技计划项目及厦门市科技项目等多项。

陈  沛

北京工业大学副教授

陈沛，北京工业大学副教授。研究方向为先进电子封装中的力学问题与可靠性问题、先进电子封装中的新型材料与结构中的力学问题。曾承担课题国家自然科学基金青年基金“减薄晶圆损伤层残余应力和力学性能测量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。国家科技重大专项--极大规模集成电路制造装备及成套工艺（“02”专项）任务“晶圆减薄损伤层表征与控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（参加）。

贾维炜

励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司研究员

（备注：以上嘉宾信息未经其本人确认，仅供参考。）

【关于本场分会协办单位】

》》》宁波恒普真空科技股份有限公司

宁波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究为基础，以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形（MIM)领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商，主要从事金属注射成形（MIM）脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。恒普科技以材料基础研究和创新方法解决行业需求，为行业提供全新的解决方案，推动行业的发展。

》》》励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司

爱思唯尔是全球信息与分析领域的领导者，帮助科研和医学专业人员推动科学发展、改善医疗成果从而造福社会。140多年以来，我们一直致力于与科研与医学专业人员合作，支持他们更高效地开展工作。从学术出版起家，爱思唯尔提供知识资源和分析服务，帮助我们的用户取得科研突破，推动社会进步。我们在战略研究管理、研发表现、临床决策支持和医学教育领域提供数字化解决方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。爱思唯尔是励讯集团（RELX）的成员之一，励讯集团（RELX）为全球专业人士和商业客户提供科学、医疗、法律和商业领域信息分析服务及决策工具。

》》》广州南砂晶圆半导体技术有限公司

广州南砂晶圆半导体技术有限公司是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售三位一体的国家高新技术企业。公司以山东大学晶体材料国家重点实验室近年来研发的最新碳化硅单晶生长与衬底加工技术成果为基础，同山东大学开展全方位产学研合作。公司产品以6英寸半绝缘和n型碳化硅衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。第三代半导体材料作为新基建的战略性材料，公司将立足粤港澳大湾区，力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体公司。

》》》中国电子科技集团公司第四十八研究所

中国电子科技集团公司第四十八研究所（以下简称48所）又名“长沙半导体 工艺设备研究所”，成立于1964年5月，隶属于中国电子科技集团有限公司。现 有科研生产人员近1000人，其中享受国务院政府特殊津贴专家29人，研究员 33人。

48所技术力量雄厚，专业门类齐全，是国内唯一从事以三束（离子束、电子 束、分子束）为主的军民两用型骨干科研生产单位，产品包括第三代半导体装备 以及集成电路装备、光伏电池装备、磁性材料装备、冶金材料装备、特种传感器与系统，并具备装备整线集成能力。产品销售覆盖含香港、台湾在内的全国29个 省市、特区，出口到美国、德国、法国、西班牙、俄罗斯、澳大利亚、埃及、土 耳其等20多个国家和地区。

48所拥有国家第三代半导体技术创新中心（湖南）、国防科技工业有源层优 化生长创新中心、国家光伏装备工程技术研究中心、中国-埃及可再生能源国家联 合实验室等5个国家级平台和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余项，其 中填补国内空白148项、达到国际先进水平138项、列为国家替代进口119项，拥有专利396项。

》》》德国爱思强股份有限公司

AIXTRON爱思强是半导体产业领先的沉积设备供应商。该公司成立于1983年，总部设在德国黑措根拉特（靠近亚琛），并在亚洲、美国及欧洲设有子公司及销售办事处。该公司的技术解决方案被全世界广泛的客户所使用，以制造先进的电子和光电子应用元件，这些元件乃基于化合物、硅或有机半导体材料。该元件被广泛用于创新应用、技术及行业，其中包括LED应用、显示技术、数据存储、数据传输、能源管理和转化、通讯、信号灯和照明技术以及其他尖端技术。请浏览网站www.aixtron.com 了解AIXTRON爱思强（法兰克福证券交易所：AIXA，国际证券号码：DE000A0WMPJ6）的更多信息。

》》》湖北九峰山实验室

九峰山实验室与你一起，创造未来。

九峰山实验室以建设先进的化合物半导体研发和创新中心为愿景。我们将来自世界各地的人才聚集在一起，建设先进的基础设施，打造公共、开放、共享的科研平台，与合作伙伴一起构建可持续发展的未来。

九峰山实验室于2021年成立。实验室紧密结合全球优势学科领域和重点产业布局，连接科研与产业，建立成熟开放的实验室运营机制、丰富的基础IP交付能力、一流的设备环境、良好稳定的合作关系，打造成全球最具影响力的化合物半导体科研创新高地。

天工开物检测分析中心为先进半导体产业链提供世界级第三方量测能力。

天工开物检测分析中心是九峰山实验室重点打造的检测分析平台，聚焦于半导体材料和器件的分析与测试，秉持开放的理念，提供专业、全面的检测分析服务。

》》》哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司成立于2018年5月，企业坐落于哈尔滨市新区，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域，已形成系列自主知识产权，实现先进技术自主可控。科友半导体投资10亿元人民币，打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，致力成为第三代半导体关键材料供应商，并在黑龙江建设第三代半导体材料研发及装备制造的新高地，形成半导体产业高端装备和材料制造的新动能。

 

科友将在第三代半导体产学研聚集区内实现碳化硅材料端从原材料提纯-装备制造-晶体生长-衬底加工-外延晶圆的全产业链闭合，成为行业内首家材料端全闭合企业。全力实现第三代半导体全产业链的技术和专利中国化。

附：

一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，由2014年诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所教授天野浩，美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授Fred LEE领衔200多个报告嘉宾，紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题，将在开幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向"。

国际第三代半导体论坛（IFWS）是由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。论坛以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，成为全球范围内的全产业链合作交流的重要平台，引领第三代半导体产业发展方向。

中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来，已成为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里，论坛尽最大力量打造国际性舞台，邀请全球顶级专家，传递最前沿的产业、技术发展信息。

至今，SSLCHINA已连续举办了十八届，IFWS也同期连续举办了七届，全球超过1900位专家学者、企业领袖、投资人等莅临现场发布了精彩演讲，参会观众覆盖了70多个国家和地区，累计2.9万余人到现场参会，集齐跨地区、跨领域的智慧合力，共同召唤产业发展新生态。无论是行业龙头企业、初创团队或是行业服务机构，论坛都是十分精准的品牌展示、产品推广、技术交流、成果发布及寻求合作的优质平台和窗口。十几年来，论坛服务过的客户遍及全球，涵盖了大部分国内外知名的半导体材料、装备、器件及应用端企业，数量近千家，服务次数超过1200次。通过论坛期间的交流与对接，很多企业结识了潜在的合作伙伴，为自身发展把握住了机会。更多详情见附件：

会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）

会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店

日程安排

注册权益收费表

备注：

＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。

＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

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*备注：请微信扫码查看并注册，注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。