重庆高新区改革发展局相关负责人表示,目前,该项目可研方案拟提交国家发改委,后期将积极对接市发改委加快通过项目评审。据悉,华微控股是华润微的全资子公司,加上12寸功率半导体晶圆生产线项目的投资金额,这意味着,华润微在重庆的投资金额将达117.5亿元。6月24日,由华微控股、大基金二期及重庆西永微电子共同发起设立的润西微电子(重庆)有限公司(以下简称“润西微电子”)正式成立。
国内一批第三代半导体项目最新动态
近日,安徽、上海、重庆、山西原平、辽宁大连、青岛等地第三代半导体项目有新进展。
最新消息! 又一家碳化硅项目喜封金顶
8月01日上午9:58时,安徽微芯长江碳化硅项目建设工程,自2020年11月19日开工奠基至今,经过建设团队200多天日日夜夜的坚苦奋战,如期迎来了主体工程封顶。
铜陵市人民政府副市长王纲根、铜陵经济技术开发区党工委书记\主任周剑、铜陵经济技术开发区党工委副书记吴世伟,日本磁性技术控股股份有限公司代表取缔役社长、Ferrotec(中国)集团董事局主席贺贤汉、日本磁性技术控股股份限公司执行董事并木 美代子,杭州大和热磁电子有限公司副总经理董小平等领导出席仪式,并与建设单位、管理公司、监理单位领导及施工单位建设团队,共同见证激动人心的时刻。
上海瀚镓半导体拟建设4英寸GaN中试线
8月9日,浦东时报刊登了瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化 环境影响报告书公众意见征求的登报公示。
公示显示,上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化项目,主要建设4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试生产线。
天眼查显示,上海瀚镓半导体科技有限公司成立于2020年8月,法定代表人为何哲强,注册资本为500万元,经营范围包括从事半导体科技领域内的技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;电子元器件批发;电子专用材料销售;电子专用材料研发;半导体器件专用设备销售等。
招聘网站显示,上海瀚镓半导体科技有限公司由上海集成电路材料研究院支撑孵化,公司技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校,具有完全自主知识产权的核心专利技术。
公司专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发,进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化,为推动GaN半导体行业的高性能、高品质发展提供核心基础材料支撑,助力我国竞占第三代半导体行业发展的战略制高点。
华润微重庆扩建功率半导体封装基地
8月12日,公众号“重庆发布”发文指出,华润微电子控股有限公司(以下简称“华微控股”)决定追加投资42亿元,建设功率半导体封装基地,包含功率封装测试与先进封装测试两大工艺生产线。达产后,功率封装产量达到每月220万颗。
重庆高新区改革发展局相关负责人表示,目前,该项目可研方案拟提交国家发改委,后期将积极对接市发改委加快通过项目评审。据悉,华微控股是华润微的全资子公司,加上12寸功率半导体晶圆生产线项目的投资金额,这意味着,华润微在重庆的投资金额将达117.5亿元。6月24日,由华微控股、大基金二期及重庆西永微电子共同发起设立的润西微电子(重庆)有限公司(以下简称“润西微电子”)正式成立。
重庆高新区改革发展局相关负责人表示,目前,该项目可研方案拟提交国家发改委,后期将积极对接市发改委加快通过项目评审。据悉,华微控股是华润微的全资子公司,加上12寸功率半导体晶圆生产线项目的投资金额,这意味着,华润微在重庆的投资金额将达117.5亿元。6月24日,由华微控股、大基金二期及重庆西永微电子共同发起设立的润西微电子(重庆)有限公司(以下简称“润西微电子”)正式成立。
据华润微披露,润西微电子主要负责建设12寸功率半导体晶圆生产线项目,该项目计划投资总额为75.5亿元,建成后预计将形成月产3万片12寸中高端功率半导体晶圆生产能力,并配套建设12寸外延及薄片工艺能力。
重庆高新区改革发展局相关负责人介绍,该项目计划建成国内首座本土企业12寸功率半导体晶圆生产线。最新消息是,“重庆发布”发文称,为了缩短定标周期,重庆高新区改革发展局指导项目业主单位通过电子招投标方式,已完成施工单位及监理单位招标文件挂网,最快本月启动设备采购,预计将于年内完成厂房动力设施改造。
山西阿斯卡新材料公司拟在原平建10条GaN产线
8月10日,山西省投资项目在线审批监管平台审核通过了山西阿斯卡新材料科技有限公司第三代半导体新材料项目。
据披露,该项目总投资19.03亿元,建设10条氮化镓生产线,年生产4英寸氮化镓外延片220000片,项目计划2021年9月开工。
天眼查信息显示,山西阿斯卡新材料科技有限公司成立于2021年7月29日,注册资本500万元,经营范围包括电子专用材料制造;电子元器件制造;新型膜材料制造;电子专用材料销售;电子元器件零售;新型膜材料销售等。
正威集团拟在辽宁大连建设第三代半导体产业基地
大连新闻网报道,近日,金普新区管委会与深圳正威集团签署总投资达300亿元的战略合作协议,双方将在金普新区就半导体产业、新材料产业以及物流产业等领域进行全方位合作。
根据协议,双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地,同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台,建设临港产业工贸集聚地。这些项目达产后,预计年主营收入将达400亿~500亿元。
大连日报报道,正威集团是一家以新一代电子信息和新材料完整产业链为主导的高科技产业集团,去年,该集团实现营业额逾7000亿元,目前位列世界500强企业排名第68名、中国民营企业500强第3名和中国制造业民营企业500强第2名。
当前,正威集团正在积极布局第三代半导体产业。今年6月,正威集团旗下控股子公司正威金控完成向海特高新旗下控股子公司海威华芯的12.88余亿元增资,本次增资扩股完成后,正威金控持有海威华芯34.01%股权,成为海威华芯第一大股东。
据悉,海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建,是国内6英寸砷化镓集成电路(GaAs MMIC)的纯晶圆代工(Foundry)服务制造商之一,已建成国内第—条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线,目前已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的晶圆制造能力。
深圳艾儿维思碳化硅晶圆生产项目签约湖南怀化
8月9日,由深圳艾儿维思智能高科有限公司投资建设的碳化硅晶圆、单质碳晶体材料及常温超导材料生产项目在湖南怀化高新区签约。
据悉,该项目总投资3亿元,分两期建设。其中一期投资1亿元,建设实施年产5000片碳化硅晶圆片,3万吨单质碳晶体纳米粉末,5吨铜基碳复合材料生产线项目,一期达产后预计年产值可达3亿元、年纳税达1500万元;二期投资2亿元用于扩大再生产。项目全面达产后预计年产值可达10亿元、年纳税达5000万元。
新微化合物半导体一期项目设备即将进场
8月13日,公众号“上海临港”发文指出,从目前8月下旬设备将要进厂,到预计年底投资约15亿的新微一期项目将拉开“通线”帷幕。
上海新微半导体有限公司由上海联和投资有限公司、上海临港管伟投资发展有限公司、上海新微科技集团有限公司和上海新微技术研发中心有限公司联合发起,2020年1月在上海临港新片区完成注册。
据介绍,新微化合物半导体产业化项目主要定位于化合物半导体材料和器件技术开发平台和量产线,于去年9月底打下第一根桩基,今年5月初“量产线洁净厂房”结构封顶。
根据此前的资料,新微化合物半导体项目分三期建设,前两期总投资30.5亿元,其中第一期总投资15亿元,主要用于建设厂房以及4寸光电和6寸毫米波二条量产线,预计将于2021年第四季度建成并投入使用;第二期总投资15.5亿元,主要用于建设一条以硅基射频和硅基功率器件为主要内容的8寸量产线,异质集成、多种封装测试研发中试平台。
华芯晶元第三代半导体化合物晶片衬底项目下半年开工
近日,青岛国家高新技术产业开发区网站介绍,2021年是“十四五”开局之年,青岛高新区紧紧围绕“项目落地年”各项要求部署,紧抓项目建设这个“牛鼻子”,把推动大项目、好项目的落地建设作为推动经济社会发展的重要动力。
报道指出,下半年,华芯晶元第三代半导体化合物晶片衬底等项目将陆续开工建设。资料显示,今年5月,由青岛华芯晶元半导体科技有限公司投资建设的第三代半导体化合物晶片衬底项目。
据青岛日报当时报道,第三代半导体化合物晶片衬底项目以打造第三代化合物半导体衬底产业集群为总体目标,进行研发、生产、管理等硬件设施的建设配套。项目建成后,将实现年产33万片第三代化合物半导体衬底晶圆的产业线,弥补国内先进第三代半导体材料技术的短板。
斯达半导:拟募资35亿元用于多项功率器件扩建项目
8月15日晚,斯达半导发布公告称,拟募资35亿元用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目以及补充流动资金。
高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施,购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备,用于实施高压特色工艺功率芯片的研发和产业化项目。项目达产后,预计将形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片生产能力。SiC芯片研发及产业化项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施,购置光刻机、涂胶显影机、铝刻蚀机、高温注入机等设备,开展SiC芯片的研发和产业化。项目达产后,预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力。功率半导体模块生产线自动化改造项目拟利用现有厂房实施生产线自动化改造项目,购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备,实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后,预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。
斯达半导长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。公司在现有产品结构的基础上,充分考虑新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向,以公司现有的技术为依托,实施高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目和SiC芯片研发及产业化项目。项目的实施有利于丰富公司的产品结构,进一步提升公司综合竞争力。本次非公开发行股票募集资金部分用于补充流动资金,有利于缓解公司的资金压力,推进公司业务规模的拓展,保障了公司研发创新及业务扩张等活动的持续正常开展,可进一步优化公司的财务结构,有利于降低公司财务风险,提高公司的偿债能力和抗风险能力,保障公司的持续、稳定、健康发展。
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