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报告前瞻 | 晶湛半导体程凯:氮化镓材料生长进展与突破

 化合物半导体作为破解“卡脖子”难题、实现高水平科技自立自强的核心战略产业,正迎来爆发式发展机遇。为紧抓化合物半导体产业爆发机遇,进一步发挥珠海产业及应用市场优势,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)将于2025年12月6-7日在珠海高新区香山会议中心组织召开首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”。会议设有开幕大会和化合物半导体材料论坛、化合物半导体功率器件与应用论坛、化合物半导体芯片与封装论坛、化合物半导体光电应用创新论坛大会在内四场平行论坛,将围绕国家重大战略和第三代半导体产业链发展需求,邀请重量级专家、学者及产业链重点企业代表深入探讨上下游协同发展中的问题,为新时期化合物半导体技术突破及产业发展战略提供建议。

届时,苏州晶湛半导体有限公司董事长、总经理程凯将出席大会,并将在“论坛A:化合物半导体材料论坛”上分享《氮化镓材料生长进展与突破》的主题报告,敬请关注! 

程凯

嘉宾简介:

程凯,清华大学电子工程系本科硕士,比利时鲁汶大学和IMEC联合培养博士(2008年)。曾任IMEC GaN项目资深科学家,2012年回国创办晶湛半导体并任总裁,致力于氮化镓外延材料的产业化。程博士是业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者之一,分别于2006年、2011年和2021年首次研制出6英寸、8英寸、12英寸GaN-on-Si外延材料,拥有非常丰富的材料生长经验,能够在不同衬底上(Si/Sapphire/GaN等)实现高质量GaN外延。累计申请国内外专利近600项,已授权100余项。 

关于晶湛半导体:

苏州晶湛半导体有限公司是由业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发及产业化,拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地。公司在GaN (氮化镓)外延技术领域已掌握多项核心技术, 拥有自主知识产权。苏州晶湛半导体有限公司致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案,也是目前国际上极少数可供应12英寸硅基氮化镓外延产品的先锋厂商,技术实力处于国际领军地位。公司愿景是成为世界领先的GaN材料供应商,晶湛半导体在技术、市场、项目合作、人才培养等各方面都取得了显著进步,将为第三代半导体产业的发展产生积极的推动作用。

附:化合物半导体材料论坛议程(双击点看大图)

会议内容 

会议主题:“中国‘芯’基地,湾区‘芯’未来”

会议时间:2025年12月6日(周六)-7日(周日)

会议地点:珠海高新区香山会议中心 

会议整体安排

日程总览

 在线日程-2025大湾区化合物半导体应用生态大会日程安排 

扫码查看&下载最新电子日程

链接:https://www.kdocs.cn/l/cphrHJ9gW1kC

会议报名 

1、本次会议免费,含工作餐,交通、住宿费用自理。

2、会议需扫码报名,填写详细信息,以便于组委会统筹安排。

3、联系方式:

张女士

13681329411(微信同号)

zhangww@casmita.com

贾先生

18310277858(微信同号)

jiaxl@casmita.com

 麦肯桥珠海报名二维码 

(扫描或长按二维码识别报名)

报名截止12月5日12:00 

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