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苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

厦门三安光电有限公司氮化镓事业部高级副总黄少华受带来了《MicroLED技术在微显示领域的机遇与挑战》的主题报告，分享了RGB MicroLED的挑战、AR微型LED开发、投影用MicroLED显示器等内容。

近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高

九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。

香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊做了“面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性”的主题报告。

当前，南京大学已开展面向航天应用的GaN功率器件设计与流片。逐渐建立GaN功率器件设计与流片能力，开展多轮4/6英寸流片工作，研制抗辐照GaN功率器件。团队在国家大科学装置开展了大量的辐照实验。

「致能半导体」携手国际知名8英寸Fab完成8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。

苏州晶湛半导体有限公司董事长、总经理程凯将出席大会，并将在“论坛A：化合物半导体材料论坛”上分享《氮化镓材料生长进展与突破》的主题报告，敬请关注！

苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶带来了《先进氮化镓制造中心支持射频产业创新发展》的主题报告

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。本届论坛由第三

11-12日，本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨（ShortCourse）”开讲，业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题，深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势，跟踪产业前沿趋势，了解最新研发成果。

随着人工智能数据中心、电动汽车等高能耗领域的能源需求激增，安森美半导体（Onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关

近日，南京国博电子股份有限公司（以下简称国博公司）与国内头部智能移动终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

苏州东微半导体股份有限公司（“东微半导体”，证券代码：688261）与苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。

最新报告出炉！IFWS2025:氮化镓功率电子及封装技术论坛——驱动能效革命，赋能AI芯动力

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！