今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》（Spec
半导体照明网消息：第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日于厦
以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景，成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展
半导体产业网消息，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日于厦
氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。有望实现更高耐压、更低损耗、
据悉，近日，媒体从量子计算芯片安徽省重点实验室获悉，我国科研团队成功研制出第一代商业级半导体量子芯片电路载板，可最大可支
新科技时代背景下，人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下，以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景
为培育和推动盘锦市第三代半导体产业发展新动能，盘锦高新技术产业开发区管理委员会与中关村半导体照明工程研发及产业联盟拟定于
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8月7日日，华虹半导体有限公司（股票简称华虹公司，下文简称华虹半导体）正式在科创板上市，此次上市，华虹公司将公开发行40775
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近日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通
以金刚石、氧化镓、氮化硼为代表的超宽禁带半导体禁带宽度、化学稳定性、击穿场强等优势，是国际半导体领域的研究热点。其中，氧
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