第三代半导体产业数字化公共服务平台

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

GaN基HEMTs因其在高压、大功率、高温等领域的应用前景而备受关注。由于GaN的宽禁带和高击穿场强，Gan基器件可以提供更快的开关速

2023年7月26-28日，2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。中国电子科技集团公司第十三研究所重点实验室副主

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于7月26-28日在西安召开。

与第一代半导体（如硅、锗）和第二代半导体（如砷化镓、锑化铟）材料相比，以氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）、硫化镉（CdS）、碳

光集成技术是未来光器件的主流发展方向，Ⅲ-Ⅴ族材料和硅基材料被业界普遍看作未来光集成技术的两大阵营，将改变光器件的设计和

2月18日，中晟光电设备（上海）股份有限公司位于临港的研发和生产基地建设项目主体结构顺利封顶。该项目建筑面积21,180.73平方米

近日，央视《焦点访谈》栏目播发专题报道《强强联合补短锻长》，聚焦工信部新批复的国家石墨烯创新中心、国家虚拟现实创新中心

核心提示：近日，国星光电参与制定的国家标准GB/T 42219-2022《大功率LED的光学测量》由国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会正式发布

氮化镓(GaN)是一种很有前途的硅替代半导体，广泛应用于光电子和电子技术。然而，GaN表面的脆弱性是阻碍GaN基器件发展的关键限制

半导体产业网讯近日，西安交大电子学院先进光电所云峰教授团队在六方氮化硼薄膜大面积制备及剥离方面取得了重要进展。该成果以

厦门大学物理科学与技术学院与乾照光电协同攻关，在提升绿光LED效率方面取得重大进展。

中国台湾面板大厂群创光电将于6月24日举行股东常会，期间除了备受业内瞩目的董事改选即大股东鸿海法人代表全数退出董事会外，群创也将修改公司章程，新增“半导体封装及测试代工业务产品”营业项目.

4月27日，佛山市国星光电股份有限公司发布公告称，公司于近日收到国家知识产权局颁发的9项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro

河北圣昊光电科技有限公司投资建设的芯片检测及关键设备研发生产基地项目开工。

北京理工大学材料学院钟海政教授、兼职教授Greg Scholes教授（普林斯顿大学教授）、物理学院的张用友副教授、光电学院的王涌天教授共同合作，发现了内嵌CsPbBr3纳米晶的Cs4PbBr6晶体的消色差1/4波片特性，在532-800 nm宽波段内实现了消色差的偏振调制。