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期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况，以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。

天岳先进携全系列碳化硅衬底产品精彩亮相，并隆重发布了行业领先的300mm碳化硅衬底产品。

天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

上海林众电子科技有限公司智能质造中心启用仪式在车墩镇举行。

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉，聚焦前沿趋势，敬请期待！

晶盛机电（300316）11月4日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年11月1日接受3家机构调研，机构类型为其他、海外机构。 投资者

“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会”日程出炉，敬请关注！

国家知识产权局信息显示，上海汉虹精密机械有限公司申请一项名为一种单晶炉碳化硅炉专用的KF40电动蝶阀的专利，公开号 CN 118881

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

PVT单晶生长设备、HVPE单晶生长设备、碳化硅高温氧化设备11年，11款产品。经过10多年的发展，山东力冠微电子装备有限公司已成为

晶驰机电生产基地项目总投资2亿元晶驰机电是浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院孵化企业

国家知识产权局信息显示，江苏集芯先进材料有限公司申请一项名为大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置的专利，公开号CN 118756340

晶盛机电在回答投资者提问时表示，是一家国内领先的专注于先进材料、先进装备的高新技术企业。在先进装备领域，公司光伏装备取得

张北县年产8亿件高端碳化硅半导体研发基地项目建设“不打烊”。

PowerAmerica执行董事兼首席技术官Victor Veliadis将出席论坛并做大会报告，分享“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”，并将在专题技术分会上，继续分享“在硅晶圆厂中制造SiC”的研究成果。

中电四公司成功中标北京天科合达半导体股份有限公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（1#生产厂房等12项）”，中标金额：1159022898.60元。

天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法，公开号 CN2

9月5日，中国电科在官微透露，中国电科48所自主研发的8英寸碳化硅外延设备关键技术再次获得突破。据悉，此次全新升级的8英寸碳化