第三代半导体产业数字化公共服务平台

国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

天岳先进携全系12英寸碳化硅衬底产品矩阵震撼登场。其中，12英寸碳化硅光学片更是成为展会焦点，不仅展示了天岳先进的技术实力，也为AR虚拟显示领域带来了全新的解决方案。

国家知识产权局信息显示，苏州无热芯阳半导体有限公司申请一项名为一种新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法的

2025年3月20日，上海御微半导体有限公司金桥研发制造基地举行启动仪式。御微半导体官方消息显示，在过去的六年里，产品订单屡创

贵州集隽半导体产业园模组厂投产暨光电显示产业链重点企业签约仪式在贵阳综保区举行。

熙泰科技南充半导体微显示产业园项目在四川南充嘉陵区正式开工。

专利摘要显示，本发明涉及 一种 8 英寸碳化硅晶圆单 面抛光方法，采用半径小 于 8 英寸的陶瓷盘对 8 英 寸碳化硅晶圆进行单面 抛

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为半导体结构的制备方法及半导体结构的专利，公开号 CN 119626900 A，申

天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法专利公布，申请公布日为2025年2月14日

日本经济产业省监管的政府与民间合作企业INCJ披露，已通过市场出售其持有的日本显示公司（JDI）全部股份，亏损1547亿日元（10.5亿美元）。

BOE（京东方）在珠海京东方晶芯科技有限公司成功举办主题为“屏曜万象 量产启航”的COB量产交付仪式，这一时刻标志着京东方在MLED显示技术领域取得重要里程碑。

华显光电于去年启动商用车智能座舱项目，该项目投资6亿元，占地面积约17亩，主要为商用车提供智能座舱解决方案，项目达产后产能为100万套液晶显示屏、人机交互系统、商用车座舱系统等产品，产值将超7亿元。

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

国家知识产权局信息显示，苏州创芯致尚微电子有限公司取得一项名为一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置的专利，授权公告号CN 22255

绵阳新型显示产业再添大项目——总投资40亿元的熙泰科技12英寸Micro OLED（即硅基有机发光二极管）半导体微显示产业化项目

越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目开工仪式在安徽滁州隆重举行。