第三代半导体产业数字化公共服务平台

为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月11-13日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，会议内容将涵盖以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料、高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

作为中国碳化硅衬底行业领军企业，天岳先进公司携全系列12英寸碳化硅衬底产品荣耀登场，也是碳化硅衬底材料首次登陆国际博物馆。硬核科技实力诠释我国宽禁带半导体产业的历史性跨越，为中国制造强国之路注入强劲动能，彰显行业领导力。

近日，深圳平湖实验室SiC 栅氧表征能力建设攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统

氮化镓（GaN）材料具备禁带宽度大、临界击穿电场高、易于形成高迁移率二维电子气等特性，是实现高耐压、低损耗功率器件的理想半

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家，中山大学教授王钢在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》的主题报告，分析了大尺寸硅基氧化镓外延、硅基氧化镓器件及应用等内容。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波将出席大湾区化合物半导体应用生态大会，并将在开幕式上分享《第三代半导体技术现状与发展战略》的主题报告，敬请关注！

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA 2025将在厦门召开。作为论坛重要分会，苏州思体尔软件科技有限公司协办支持的“超宽禁带半导体分会”最新报告安排出炉。

宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室（原半导体照明联合创新国家重点实验室）于2024年获科技部批准建设。实验室面向国

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。期间，“光电子、射频及应用”分论坛围绕超宽禁带及宽禁带半导体外延材料、装备、器件，激光器，光电探测等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨。

近日，中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心王军喜、魏同波研究员团队，与复旦大学沈超研究员、沙特国王科技大学李晓航副教授合作，制备出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以实时传输视频信号的片上光通信集成系统。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部教授宁静将受邀出席论坛，并带来了《超宽禁带半导体范德华异质结构及器件研究》的主题报告，敬请关注！

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

8月12日，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连落下帷幕。会议每两年一届，至今已成功举办了六届，第七届全国宽禁带半导体学术会议将由郑州大学接棒举办。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理全国重点实验室、纳光电子前沿科学中

8月11日，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连开幕。

为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料