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国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目开工仪式在安徽滁州隆重举行。

2月26日上午，越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目开工仪式在安徽滁州隆重举行。越好半导体显示装备及关键零部件制造基

2月26日上午，越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目开工仪式在安徽滁州隆重举行。越好半导体显示装备及关键零部件制造基

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为一种半导体激光器封装模组的专利，授权公告号 CN 222441099 U，申

钧联电子安徽省首条先进工艺SiC车规功率模块产线下线

安徽旭腾微电子设备有限公司洁净车间扩建项目正式开工，为公司的发展开启了新的篇章。

据先导科技集团官微消息，日前，由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告

国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为半导体器件的处理方法及半导体器件的专利，公开号CN 118888436

安徽壹月科技有限公司半导体高纯电子工艺设备生产制造基地项目投产启动仪式

9月15日，东科半导体（安徽）股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢

据悉，近日，媒体从量子计算芯片安徽省重点实验室获悉，我国科研团队成功研制出第一代商业级半导体量子芯片电路载板，可最大可支

【超38亿元A轮股权融资创历史】近日，安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体

5月30日消息，自合肥市人民政府发布公众号获悉，大众汽车集团(中国)大众安徽首席财务官哈约根日前表示，大众安徽将继续在安徽合

近日，由安徽大学校牵头，“高校—院所—企业”联合共建的“集成电路先进材料与技术产教研融合研究院”，获得省“三重一创”专项支持，正式入列合肥综合性国家科学中心。

安徽省铜陵市多举措鼓励支持企业加大研发投入