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2月26-28日，”2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆融创施柏阁酒店举办。国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心，原技术总师史冬梅受邀将出席论坛，并带来《氧化镓和金刚石超宽禁带半导体技术发展态势》的主题报告，敬请关注！

河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式

为落实国家人工智能+战略行动，推动我市人工智能+新材料创新发展，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会，北京市发展

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为一种晶圆承载装置及应用其的半导体工艺设备的专利，授权公告号 CN

近日，半导体照明联合创新国家重点实验室官网正式官宣宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室重组获批，但目前官网页面的

国家知识产权局信息显示，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为半导体器件、半导体器件的元胞结构及掩模板的专利，授权公告号

近日，江苏印发《关于支持南京江北新区高质量建设的意见》（以下简称：《意见》），以贯彻落实国家关于促进国家级新区高质量建设

以国家安全为由禁止进口某些涉及车联网的中国软件和硬件，这实际上禁止了中国进口乘用车。

北京集创北方科技股份有限公司（集创北方）与国家新能源汽车技术创新中心（国创中心）在北京签订了战略合作协议。

对北京市认定机构2024年认定报备的第三批集成电路等领域政策试点高新技术企业备案的公告根据《高新技术企业认定管理办法》（国科

韩国政府已提前启动龙仁半导体国家工业园区的建设，该项目预计将于 2026 年 12 月开工

国家市场监督管理总局重点实验室（车规芯片测试与评价）获批建设。

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，浙江睿熙科技有限公司申请一项名为VCSEL 集成晶圆及其制造方法的专利，公开号 CN 119134035 A，申请日